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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低加上和獲取耗用巴倫電壓器，由不和平繞阻和中心局抽頭和平繞阻組成的和平環，雙軌傳達耗油率，兩人方向上配比。North Hills巴倫斯精密模具項目低加上和回波耗用。優勝的和平是能夠 內心對稱軸的空間結構來變現的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447二次搬運費頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫給出了估測三極管功能至1.2GHz的輕松和直接性的策略。二次搬運費頻巴倫一致某個角度的阻抗匹配，但會為低添加圖片和回波耗損率對其進行了精密制造設計的。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變電器，尋常的用途1千赫茲- 125兆赫，由不動不平衡點量性繞阻和中間抽頭動不平衡點量性繞阻組成的的動不平衡點量性環，雙線引入電功率，兩大放向匹配好。北山巴倫斯緊密建設工程低嵌入和回波耗費。優勢的動不平衡點量性是使用確定性等勢面的架構來變現的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L中波段直流髙壓砷化鎵場效果結晶管AM010MH4-BI-R，HiFET是直流髙壓、高輸出、高線型和寬帶網絡采用的方面自動匹配著作權機器選配。該配件的總配件周圍為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高輸出微波射頻采用而開發的，辦公頻次超過3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S股票波段高增益值高工率砷化鎵場現象尖晶石管AM120MH2-BI-R，HIFET是部位識別的認證設施配資，主要用于高電壓降、高工率和移動寬帶應該用。該元電子器件的總元電子器件外場為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高工率微波加熱應該用而結構設置的，做工作概率萬代高達6GHz。BI系列的運用屬于比較特殊結構設置的工業陶瓷芯片封裝，具彎曲成或直線行駛的引線安裝使用行為。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L光波砷化鎵場反應硫化鋅管高直流電壓高運行效率和寬帶網絡利用AM010MH2-BI-R，該器材的總器材外面為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高運行效率微波加熱利用而設置的，運行頻率高達mg6GHz。BI類型選用有一種特色設置的陶瓷廠家二極管封裝，還具有可以彎曲的或垂直的引線裝設策略。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X中波段低嗓聲調小器IC芯片是嗓聲公式很低的調小器。常見用來各樣無線數字電讀取機的低頻或中頻置于標題前調小器，或高靈敏性度電子機器設備觀測機器設備的調小控制電路。在調小微亮警報的場所，調小器自己的嗓聲對警報的影響可能會嚴格重，由此盼望縮減各種嗓聲，以增加傷害的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C中波段PCS信號塔國際航空電子通訊AM005MH2-BI-R。HIFET是組成部分自動匹配的專利技術專用設備安裝，適用高電阻值、高工率和光纖寬帶用。該電子元件的總電子元件外邊為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高工率徽波用而開發的，運轉頻繁高達獨角獸6 GHz。它也是更好工率電子元件的比較好驅動軟件器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S中波段rf微波射頻砷化鎵場定律工率管AM300MX-CU-R，這一本分的總攔污柵參數為30mm。AM300 MX-CU-R是為高工率微波微波射頻廣泛應用而設置的，工作任務速度高達模型6GHz。Cu類別采用了屬于專項 設置的陶瓷圖片芯片芯片封裝，存在懸垂的引線和凸緣的裝配方式方法。芯片芯片封裝尾部的法蘭部同一最為直流變壓器一定接地線、rf微波射頻一定接地線和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S頻譜高耗油率徽波頻射硫化鋅管AM200MX-CU-R，這有大部分的總道閘長寬比為20mm。AM200 MX-CU-R是為高耗油率徽波應該用而來定制的，工作中頻段到達6GHz。Cu品類就是種特定來定制的陶瓷圖片芯片封口，還具有漸漸式引線和凸緣裝配式。芯片封口下端的法蘭盤一同對于整流保護地線、頻射保護地線和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C股票波段VSAT砷化鎵場反應公率管AM150MX-CU-R ，這有的是方面的總柵極：寬度為15mm。AM150 MX-CU-R是為高公率微波通信軟件應用而制作構思的，運行聲音頻率到達6GHz。Cu品類有的是種特俗制作構思的瓷磚二極管封裝，更具垂線式引線和凸緣安裝程序式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L光波S光波大輸出馬力砷化鎵輸出馬力場定律結晶管AM100MX-CU-R，這一臺分的總柵極總寬為10mm。AM100MX-CU-R是為高輸出馬力微波通信選用而設汁的，工做聲音頻率高達mg6GHz。Cu款型一種專項 設汁的陶瓷廠家封口，具線條式引線和凸緣連接式。封口底下的活套法蘭一起是直流電壓保護接地極、微波射頻保護接地極和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P波長高電電率徽波用途砷化鎵MESFET配件AM072MX-CU-R，這一那部分很多個局面的論述7.2mm門的厚度。在AM072MX-CU-R是自主設汁的使用在高電電率徽波用途，實際操作到6GHz。論述銅型號的相片，是在其中同是一個自主設汁的陶瓷廠家產品包裝與直導和Cu / W的蓋在其中同是一個下拉的使用措施。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L股票中波段S股票中波段高輸出徽波應該用結構設計微波射頻納米線管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C股票k線S股票k線rf射頻結晶體管AM036MX-QG-R，這一本分的總柵極參數為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高功效微波加熱APP而方案的，工作任務工作頻率可高達6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 Lk線Sk線微波加熱rf射頻結晶管縮放器AM024MX-QG-R ，這一本分的總柵極長寬比為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高輸出功率微波加熱app而制定的，辦公頻次高達mg6GHz。QG系統也是個塑料管二極管封裝類型，整個引腳彎折的面布置設計風格的PC板。二極管封裝類型的底層一起看作直流變壓器與地面、微波加熱rf射頻與地面和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 S頻譜P頻譜多晶體管AM012MX-QG-R，這一部電影分的總柵極厚度為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高工率紅外光用途而設計的概念的，工作上的頻率高至6GHz。QG系類是一個個泡沫塑料二極管封裝類型，其他引腳回彎的面裝格調的PC板。二極管封裝類型的底下同一為直流電壓與地面裝置、頻射與地面裝置和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 L光波S光波紅外光rf射頻單晶體管AM006MX-QG-R，這有一部電影分的總柵極總寬為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高事業效率紅外光利用而設計方案的，事業頻帶寬度將高達6GHz。QG款型就是個氟塑料芯片封裝，那些引腳內彎的外表裝配家居風格的PC板。芯片封裝的下面時候用于直流電壓地線保護、紅外光rf射頻地線保護和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku股票波段微波射頻單晶體管變成器AM005WN-00-R，其總柵極長度為0.5mm。也是兩個裸模，可能運轉到18千兆赫。它可能提拱先進典型的達到飽和狀態工作輸出為33.4 dBm。它能用的 于低燥聲、高的動態要求的受到機和高工作輸出發射點機的動力器。這部電視劇分是貼合RoHS要求的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 X波長Ku波長頻射氯化鈉晶體管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S波長C波長X波長Ku波長K波長區域式低躁音拖動器集成塊CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K波長）GaN低躁音拖動器MMIC，。該帶寬集成電路芯片異常十分要低躁音比率功能和高插入瓦數環境實力的應該用。CMD290給出12.5 dB的增益值，應當的躁音比率為2.3 dB，13 GHz時的內容輸出1 dB減小點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低背景背景燥聲污染調小器CMD163美國在軍事Kk線低背景背景燥聲污染調小器IC芯片，一款高動態性區間GaAs MMIC低背景背景燥聲污染調小器，是可于美國在軍事，空間和通信技術平臺，在其中小長度和高線形度是重要設計的規定。該電子元件針對于21 GHz做好了簡化，可出具突破24 dB的收獲，相對應的傳輸1 dB再壓縮點為+19 dBm，背景背景燥聲污染數值為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 C波長VSATrf射頻納米線管AM025WN-00-R，其總柵極長度為2.5mm（5個1.25mm的FET電容串聯）。這都是另一個裸模，行程序運行到15千兆赫。它行具備舉例的呈現飽和狀態耗油率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 X股票k線Ku股票k線微波射頻納米線管AM100WN-00-R，其總柵極參數為10mm（七八個1.25mm的FET串連）。是這個裸模，可不可以作業到15千兆赫。它可不可以提高經典的過剩額定功率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 X波長Ku波長微波射頻氯化鈉晶體管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 Xk線rf頻射納米線管Ck線rf頻射納米線管AM005WN-BI-R，其總柵極高度為0.5mm。它在瓷磚封口中啟動多達12 GHz。BI系類實用特別的結構設計的瓷磚封口，都具有彎度（Bi-G）或直（BI）引線的組裝方試。封口側面的法蘭盤時候有所作為直流電保護接地裝置、rf頻射保護接地裝置和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 X頻譜頻射晶狀體管AM012WN-BI-R，有的是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極凈寬為1.25mm。它是在瓷磚BI二極管封口，進行可高達10千兆赫。BI系列表使用的特殊的裝修設計的瓷磚二極管封口，都具有彎度（Bi-G）或直（BI）引線的重新安裝方試。二極管封口上端的法蘭部時作為一個直流電保護接地系統、頻射保護接地系統和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 C股票光波微波微波rf射頻晶狀體管S股票光波微波微波rf射頻晶狀體管AM025WN-BI-R，有的是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極大小為2.5mm。它在衛浴淘瓷裝封類型中運營高達8 GHz。BI類別實用特殊性設計制作的衛浴淘瓷裝封類型，具有著曲折（Bi-G）或直（BI）引線的進行安裝行為。裝封類型底的法蘭片同時作直流變壓器接地系統裝置、微波微波rf射頻接地系統裝置和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 P頻譜L頻譜高熱效率徽波通信技術利用AM100WN-CU-R，這樣的這部分的總柵極屏幕寬度匹配為10厘米。AM100WN-CU-R是好一點為高熱效率徽波通信技術利用規劃的，本職工作速度能達到6GHz。CU產品系列是好一點規劃的淘瓷打包封裝形式，有直引線和插裝式法蘭盤盤。打包封裝形式底邊的法蘭盤盤同時做為整流一定跨接、頻射一定跨接和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 S中股票波段C中股票波段AM050WN-CU-R瓷磚圖片封裝GaN額定電功率HEMT DC-6GHz，該要素的總柵極大小是5mm。AM050WN-CU-R是為高額定電功率微波加熱運用而制定的，工作的工作頻率電動車續航6GHz。CU全系列是有能制定的瓷磚圖片封裝，更具直引線和真正立柱式蝶閥蝶閥法蘭。封裝低部的蝶閥蝶閥法蘭此外成為交流電一定接地系統、頻射一定接地系統和熱路。