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描述
AMCOM的AM00 5WN BI-R不是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極厚度為0.5mm。它在瓷器封口中行駛多達12 GHz。BI產品適用特色設置的瓷器封口，兼備彎折（Bi-G）或直（BI）引線的施工玩法。封口側面的法蘭部同一時間做為直流電源等電位連接、rf射頻等電位連接和熱路。這檔分是合乎RoHS標準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM005WN-BI-R	1周	60

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特征
高達12 GHz的高頻操作
增益＝15dB，p5dB＝33.5dBm，PAE＝51%，漏極＝56% @ 3GHz。
表面貼裝
高效散熱的上端

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機