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安全使用兼具獨有柵極偏置操縱的串行納米線管的GaN HEMT調大器的線性網絡不斷增強

公布(bu)用時：2018-05-04 13:53:07     搜素(su)：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：適用包括獨立空間柵極偏置調節的電容串聯結晶體管的GaN HEMT擴大器的波形加強。 GaN HEMT具備較高的導出最大熱效率密度計算和較寬的上行速率速度。同時，GaN HEMT的線型典型案例地比GaAs元電子器件封裝的線型更差。從文中給出新一種簡易的措施來提升GaN HEMT的線型度。所給出的措施是將元電子器件封裝劃分出與獨有抑制的柵極偏置線電壓串連的諸多子單元測試卷測試，其次將最大熱效率合同心同德子單元測試卷測試導出。角色介紹增加器..
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