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描述
AMCOM的AM010MH4-Bi-R是雙系類GaAs HIFET的三那方面。HiFET是直流變壓器電、高電率、高平滑和寬帶網APP的那方面適合知識產權產品運行環境。該集成電路芯片的總集成電路芯片內圍為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高電率微波通信APP而結構設計方案的，運行速度高至3GHz。BI系類通過1種獨特結構設計方案的瓷質芯片封裝形式，具變形或垂線的引線和凸緣裝設習慣。芯片封裝形式底端的蝶閥法蘭時算作直流變壓器一定接地裝置、微波射頻一定接地裝置和熱路。這類HiFET是合適RoHS規則的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM010MH4-BI-R	1周	50

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特征
25V漏極偏壓
寬帶部分匹配：直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益：g= 19dB@ 2.0GHz
高功率：P1dB＝31 dBm @ 2.0GHz
高線性度：IP3＝46dBm @ 2.0GHz
適用更有效水冷散熱的淘瓷封口

應用
寬帶應用
高電壓20～28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信