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描述
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙類型的幾地方。HIFET是地方適配的專業生產設備配制，操作于高電壓值、高輸出和移動寬帶操作。該元器的總元器內圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高輸出微波通信操作而來開發的，工作任務頻繁高達mg6GHz。BI類型應用的專項 來開發的陶瓷制品裝封，享有彎曲變形或線條的引線按照的方法。裝封最下面的活套法蘭同一時間充當直流變壓器接地線系統、rf射頻接地線系統和熱路。此HiFET是具備RoHS準則的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM120MH2-BI-R	1周	80

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特征
14伏
高達6 GHz的高頻操作
高增益：g= 14dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝39 dBm @ 2GHz
高線性度：IP3＝49 dBm @ 2GHz
用在行之有效散熱性能的陶瓷圖片二極管封裝

應用
寬帶應用
高電壓10～14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信