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描述
AMCOM的AM025WN-Bi-R有的是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極尺寸為2.5mm。它在瓷質制品封裝中運作會達8 GHz。BI品類利用特種裝修設計的瓷質制品封裝，還具有耐折（Bi-G）或直（BI）引線的的安裝辦法。封裝左下角的卡箍時做為直流電源一定接地裝置、頻射一定接地裝置和熱路。這臺分是完全符合RoHS的標準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM025WN-BI-R	1周	50

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特征
高達8 GHz的高頻操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏極＝56% @ 3 GHz。
表面貼裝
合理散熱器的側面

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機