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ADRF5132是款高(gao)功(gong)效(xiao)、漫反射、0.7 GHz至(zhi)5.0 GHz、硅、單極、雙擲（SPDT）反射層轉換開關，用無電線表面層貼裝(zhuang)封(feng)裝(zhuang)類(lei)型狀態。該交流機很大(da)比較(jiao)合(he)適高(gao)工作功(gong)率(lv)和蜂(feng)窩狀框架(jia)配套設施修(xiu)建選用，如(ru)長用時演化（LTE）移動(dong)通信(xin)基站設配。ADRF5132遵循35 dBm LTE的(de)(de)高(gao)最大(da)功(gong)率(lv)補救熱效(xiao)率(lv)（在105°C下(xia)的(de)(de)平均(jun)典型案例(li)值），2.7 GHz下(xia)0.6 dB的(de)(de)低(di)放耗(hao)損(sun)，65 dBm的(de)(de)進入三階截距（關鍵值）和42.5 dBm的(de)(de)0.1 dB文件壓縮（P0.1dB）。

ADRF5132板上開關(guan)電(dian)源電(dian)路(lu)設計在5V的(de)唯一正電(dian)原額定電(dian)壓和1.1mA的(de)基本特征電(dian)原電(dian)壓下(xia)使用，使ADRF5132成了立于pin電(dian)感(gan)的(de)按鈕開關(guan)的(de)理(li)想型化替換品。

ADRF5132備選充分考(kao)慮RoHS規(gui)格的緊湊型(xing)16管腳3 mm×3 mmLFCSP裝封結構(gou)類型(xing)。

表現形式

射線性，50?制作

低(di)讀取損失：2.7 GHz時主要為0.6 dB

TCASE=105°C時的(de)高電(dian)率解決方法

長時間（>10年運營(ying)）

最主要輸出功率：43 dBm

CW電機功(gong)率：38 dBm

LTE最高值熱(re)效率（8 dB標(biao)準規(gui)范(fan)桿(gan)數）：35 dBm

單故事（<10秒(miao)工(gong)作）

LTE最高值工作電(dian)壓（8 dB的標準桿數）：41 dBm

高曲線度

P0.1dB:42.5 dBm典(dian)范值

IP3:2.0 GHz至(zhi)4.0 GHz時的基(ji)本特(te)征數值65 dBm

ESD額定容量值

HBM:2 kV，2級

CDM：1.25 kV

單正電源模塊：5V

單向把握(wo)，兼容(rong)CMOS/TTL

16管腳(jiao)，3mm×3mm LFCSP裝封手段

應運

蜂窩狀/4G基本知(zhi)識公用設(she)施開(kai)發

遠程wifi網絡(luo)基礎(chu)框架設(she)施設(she)備制作

國防和高不(bu)靠(kao)譜性操作

測試圖片機器設備

Pin肖特基二極管重(zhong)命名(ming)

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