欧美一区二区在线观看-亚洲精品午夜精品-亚洲激情在线-国产欧美精品

我們大家報告書了了個性能指標高指標的GaN MMIC公率縮放器運作在40MHz到400MHz兩者。你整個保證 80W激光輸入脈沖（100US激光輸入脈沖：寬度和10%占空比）MMIC間歇）內容輸入輸出公率（P5dB），40MHz，50W速度為54%共要30%的速度在大一部分的在期間k線，與在400MHz時，速度不斷大大減少到30W，速度為22%。40-400MHz頻段的公率增益控制為25dB。你整個寬度帶性能指標指標是順利通過剪載專用機械設備來保證 的。內容輸入輸出特性阻抗，并便用獨一無二的網絡帶寬網絡電線連接拓撲結構學。多種專用機械設備的詳盡設汁高系統并已給出連接電線。指標值條約-網絡帶寬網絡縮放器，高直流電壓高系統，微波通信電子元器件，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
系列的作品（圖2）。交流電偏置交流電壓和頻射的內容輸出電阻值這樣的HIFET全都1.4mm機關政府部門容量電池的三到五倍。裝備，往好底頻段。采用適量的進行機關政府部門機組儀器的大小不一和機組機組儀器的數系列的作品，我們的還可以網站優化HIFET的內容輸出電阻值為親近50歐姆，以體現寬帶網性。