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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT具備高傷害電機瓦數體積和網絡帶寬寬下的便捷率。因為GaN HEMT的波形網絡度一般說來比GaAs元電子元件的波形網絡度差。文中推出來了了種簡簡單單的具體方案來改進GaN HEMT的波形網絡度。所推出來的具體方案是將元電子元件截成與自立調控的柵極偏置讀取瓦數串并聯的很多個子標段，第二步對對子標段傷害進行電機瓦數搭檔。

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