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CREE的CMPA2735030是種通過氮化鎵 (GaN) HEMT 的單支徽波集成型用電線路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相信較，GaN更具更為非常好的的性能方面；具有越來越高的損壞場強；越來越高的飽和光學漂移有效率和越來越高的導電因子。與Si和GaAs多晶體管比起較，GaN HEMT還出示了高些的工作功率體積密度和更寬的帶寬起步。CMPA2735030比如二級電抗配適電機功率縮放器定制難點，會實現目標較為寬的帶寬的配置。

優點

穩定(ding)額(e)定(ding)功(gong)率可高(gao)達 50 V

高擊穿電壓場強

凈寬(kuan)為(wei) 5mm x 5mm；QFN 裝封(feng)

高溫高壓度便用

應用軟件領域

商用(yong)型和軍品用(yong)激光脈沖雷達(da)天線輸出增加(jia)器

企業產品標準

描素：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 最大功率變小器(qi)

最(zui)小規律(MHz)：2700

更高速度(MHz)：3500

很高值(zhi)讀取輸出(W)：30

增益值值(dB：)30.0

事情使用率（％）：45

電機額定功率(lv)電流(liu)電壓(V)：50

行駛：離散裸處理器

封裝(zhuang)形(xing)式類：Die

工藝：GaN-on-SiC

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