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CREE的CMPA1D1E030D是款氫氟酸處理硅單晶硅上據氮化鎵 (GaN) 高光學挪動率單晶體管 (HEMT) 的單支紅外光ibms用電線路 (MMIC)；CMPA1D1E030D選購0.25μm柵極長度的工藝水平。與硅不同于較，GaN-on-SiC都具有比較優等的效能；砷化鎵或硅基氮化鎵；包括高的熱擊穿場強；高的飽滿網上漂移學習效率和高的導熱性比率。

結構特征

27 dB 小移動(dong)信號增加收益值

30 W 非常(chang)典型 PSAT

任(ren)務電流(liu)電壓高至 40 V

高損壞場強

高溫環境度調節

app前沿技術

小(xiao)行(xing)星通訊網(wang)上行(xing)速率鏈接

產品設備型號

敘說：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 功(gong)效擴大器

低(di)點幾(ji)率(lv)(MHz)：13750

至(zhi)高頻率(lv)(MHz)：14500

最(zui)多值工作輸(shu)出工作功率(W)：30

增益控制值(dB)：26.0

錯誤率(lv)（％）：25

工做交流電壓(V)：40

主要形式：MMIC 裸片(pian)

裝(zhuang)封品類：Die

方法(fa)：GaN-on-SiC

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