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CREE的CMPA1D1E025F是款增碳硅單晶硅上依照氮化鎵 (GaN) 高光電子轉至率單晶體管 (HEMT) 的單支微波通信集成系統控制電路 (MMIC)；選則 0.25 μm 柵極尺碼設計護墻板生產工藝技術。與硅相對比較，GaN-on-SiC兼具更佳出眾的功能；砷化鎵或硅基氮化鎵；包含了高些的熱擊穿場強；高些的飽滿電子廠漂移工作效率和高些的熱傳導指數公式。CMPA1D1E025 選擇 10 輸電線；25 mm x 9.9 mm；復合/工業陶瓷活套法蘭盤封口可能體現最期望的組合件產品和熱增強性。

本質特征

24 dB 小訊號增加收益值

40 W 典型案例(li)單(dan)脈沖4g信號 PSAT

額定(ding)工作電(dian)壓高至(zhi) 40 V

OQPSK 下 20 W 線型公率

A/B類高(gao)增益控制；有工(gong)作效率(lv)率(lv) 50 Ω MMIC Ku 幀率(lv)段高(gao)電功率(lv)變成器

選用范圍

軍(jun)民融合用(yong)和商業(ye)應用(yong) Ku 中(zhong)波(bo)段統計

產品的尺寸規格

描(miao)術：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 中波段 GaN MMIC 工(gong)作功率(lv)增加(jia)器

更(geng)低次數(MHz)：13500

最好頻繁(MHz)：14500

更高(gao)值內容輸出馬(ma)力(W)：25

收獲值(dB)：26.0

運轉效(xiao)應（％）：16

載荷系數相電(dian)壓(V)：40

的類(lei)型(xing)：芯片封裝的MMIC

封裝類型類：卡箍盤

技(ji)術性：GaN-on-SiC

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