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Qorvo的TGA2573-2不是款(kuan)寬帶(dai)網(wang)，高馬力GaN HEMT調大器，利用Qorvo制作的0.25-um GaN on SiC工序(xu)制造技術。本職工作幀(zhen)率(lv)位置(zhi)為(wei)(wei)2至18 GHz，在30 V的漏極偏壓下，飽和內容輸出耗油率(lv)為(wei)(wei)40 dBm，PAE為(wei)(wei)20％，無線信(xin)號增益控制為(wei)(wei)10 dB。

TGA2573-2已經相(xiang)配50歐姆，并在2個RF網(wang)口上集變為了DC堵(du)塞電容（電容器），異常適于鼓(gu)勵金融業和國防軍事重(zhong)要性應該(gai)用。

TGA2573-2是100％DC和晶圓上的RF測試方法，以(yi)保證合適(shi)性能(neng)指標規范了。無鉛且完全符合RoHS原則。

常見的特點

• 幀率范圍圖：2至18 GHz
• PSAT：VD = 30 V時為40 dBm
• PAE：典例的20％
• 小表現增益值：10 dB
• 回波材料耗費：15 dB
• 偏置：VD = 30 V，IDQ = 500 mA，類型值VG = 2.3 V.
• 枝術：在SiC上的使用0.25-um GaN
• 尺寸：2.55 x 5.54 x 0.1 mm

一般廣泛應用