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S股票波段超高壓砷化鎵場滯后效應結晶體管AM030MH4-BI-R

公布的日子:2018-11-07 11:32:45     瀏覽器:1705

描述
AMCOM的AM030MH4-BI-R是雙全系列作品GaAs HIFET的十大那部分。HIFET是大那部分適合的發明專利機械選配的高電流值,高熱效率,高波形度和寬帶網APP。該電子電子器件的總電子電子器件外面為12mm。AM030MH4-Bi-R是為高熱效率微波加熱APP而裝修規劃的,運作頻段達到3GHz。BI全系列作品選取其中一種特異裝修規劃的衛浴陶瓷芯片打包封裝,享有變形或垂線的引線和凸緣裝有方法。芯片打包封裝邊側的蝶閥法蘭同時身為整流與地面、微波射頻與地面和熱路。這一個HiFET是合乎RoHS規范標準的。

品牌 型號 貨期 庫存
AMCOM 511AM030MH4-BI-R RLB 1周 50
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特征
28伏
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2GHz
高功率:P1dB=35dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=50 dBm @ 2.0GHz
于效果散熱性能的瓷質二極管封裝


應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信
安利訊息
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