S股票波段超高壓砷化鎵場滯后效應結晶體管AM030MH4-BI-R
公布的日子:2018-11-07 11:32:45 瀏覽器:1705
描述
AMCOM的AM030MH4-BI-R是雙全系列作品GaAs HIFET的十大那部分。HIFET是大那部分適合的發明專利機械選配的高電流值,高熱效率,高波形度和寬帶網APP。該電子電子器件的總電子電子器件外面為12mm。AM030MH4-Bi-R是為高熱效率微波加熱APP而裝修規劃的,運作頻段達到3GHz。BI全系列作品選取其中一種特異裝修規劃的衛浴陶瓷芯片打包封裝,享有變形或垂線的引線和凸緣裝有方法。芯片打包封裝邊側的蝶閥法蘭同時身為整流與地面、微波射頻與地面和熱路。這一個HiFET是合乎RoHS規范標準的。
|
品牌
|
型號
|
貨期
|
庫存
|
|
AMCOM
|
511AM030MH4-BI-R RLB
|
1周
|
50
|
|
如若您需要購買AM030MH4-BI-R ,請點擊右側客服聯系我們!!!
|
特征
28伏
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2GHz
高功率:P1dB=35dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=50 dBm @ 2.0GHz
于效果散熱性能的瓷質二極管封裝
應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信