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?HCB444-650一身真空成型電功率電感期貨:高能主機電源管理工作主要元器件

發(fa)布(bu)信息時(shi)間(jian)間(jian)隔:2025-08-14 16:40:36     閱(yue)讀:27

HCB444-650是臺達(da)Delta Electronics推(tui)新(xin)的(de)(de)兩款高功效(xiao)立體式脫模工作功率電(dian)感(gan),該產品要借助其比較好的(de)(de)電(dian)器(qi)產品屬性和家用suvsuv型的(de)(de)結(jie)構(gou)特征來設計,在交流電(dian)源(yuan)處理、電(dian)力產品等科技(ji)領域取得多技(ji)術應用。

性能方面性能

?電感量:標稱 65 nH(保底穩定(ding) 44 nH)

?容差(cha):±15 %  

?直流變壓(ya)器(qi)電(dian)阻器(qi) DCR:0.32 mΩ(明顯)

?過剩電(dian)流量(liang) Isat:26 A(電(dian)感量(liang)回(hui)落(luo)不跌(die)至 44 nH)

?泄(xie)漏瞬(shun)時(shi)電流瞬(shun)時(shi)電流 Ir:22 A(從表面(mian)溫度升高≈40 °C)

?測評規定要求:25 °C, 100 kHz, 1 V

封口與的尺寸

?標準化(hua)規(gui)格(ge):4.0 mm × 4.2 mm × 4.0 mm(長(chang)×寬×高)

?安裝(zhuang)方式英文:表皮(pi)貼裝(zhuang)(SMD),磁屏弊(bi)形式

工作任務位置

?場景溫:-40 °C~+125 °C(含自熱(re))

磁芯材質與的工藝

選則鐵氧體磁芯(xin),綜(zong)合磁密開發消減(jian)磁導率(lv),逃避(bi)低聲音頻率(lv)呈現飽和狀態(tai)并不斷(duan)提升(sheng)電(dian)量貯存學習能力。

繞(rao)線(xian)工(gong)藝設備:偏平(ping)線(xian)繞(rao)制(zhi),激發電(dian)纜橫截適(shi)用面積(ji),減少DCR(相對比圓線(xian)可(ke)影(ying)響(xiang)20%-30%損耗量(liang))。

表皮除理:場景保護三防鋁層,提高(gao)耐(nai)(nai)濕潤、耐(nai)(nai)鹽霧(wu)耐(nai)(nai)磨性(xing),常用(yong)以工業企業化場景。

HCB444-650一體成型功率電感現貨:高性能電源管理核心元件

技術應用動畫場景

提(ti)供(gong)服務器主機(ji)與(yu)信息主

?電源開關控制(zhi)模塊(kuai):不適適用DC-DC轉為(wei)器(qi),為(wei)CPU/GPU展示(shi) 相對穩定瞬時電流,兼(jian)容高瞬態崩(beng)潰訴求(qiu)。

?特(te)點:低DCR削減(jian)發冷,挺高能耗等級(ji);高Isat為了(le)確(que)保在短(duan)路電流變動(dong)時電感值平穩性(xing)。

工業控制半智能化

?交流(liu)電動機驅動包:在調頻器中是 濾波(bo)電感,操控PWM信號燈的高(gao)頻率風噪。

?感測器(qi)器(qi)供氣(qi):為高定位(wei)精(jing)度感測器(qi)器(qi)給予低紋波電(dian)源線,提升 數據表格錄入正確性(xing)。

移動通訊機器

?5G通信基站:支持于微(wei)波射(she)頻前邊濾波,連接(jie)高頻電線輸出阻抗,極大減少警報(bao)模糊。

?光控制(zhi)模(mo)塊(kuai):在飛速光通迅中(zhong)固定24v電源,減(jian)輕跳動,的提升(sheng)接(jie)入固定性分析。

佛山市立維創展科技開發不足我司以DELTA許多外盤倉庫(ku)為獨特,以(yi)資源(yuan)優(you)勢的售價為消費者打造(zao)服(fu)務管理,歡迎(ying)圖片咨詢了(le)解。

 

25℃、100KHz、1V時的機電(dian)性(xing)狀

Delta P/N

電感(gan)量 L1 (nH)

輕柔(rou)的值(zhi) (nH)

Isat (A)

DCR (mΩ)

Ir (A)

HCB444-500

50

34

26

0.32

21

HCB444-650

65

44

26

0.32

22

HCB444-800

80

51

22

0.32

17

HCB444-101

100

64

17

0.32

13

說明書怎(zen)么寫:

一切(qie)主要(yao)參(can)數(shu)的 DCR 均為(wei) 0.32 mΩ(±9%)。

電感(gan)量測量先決條件:25℃,100 kHz,1 V。

Isat:電感量上(shang)升(sheng)到較大值時的電壓。

Ir:溫度(du)上升感應電(dian)流(liu),一(yi)般是指外(wai)表(biao)溫度(du)上升約(yue) 40°C 時(shi)的(de)電(dian)流(liu)大小。

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