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?第3代650伏裸片氧化硅MOSFET

發(fa)布信(xin)息事件:2025-02-13 15:38:51     搜(sou)索:463

CREE驅使其四代650伏氫氟酸處理硅MOSFET,進這一步夯實基礎了在炭化硅枝術行業領域的引航實力地位。第三代650伏裸片碳化(hua)硅MOSFET夠在更非常(chang)廣泛的(de)供(gong)電(dian)系(xi)統的(de)中變(bian)(bian)現供(gong)電(dian)變(bian)(bian)換的(de)大(da)中型化、輕明確與有效(xiao)率(lv)(lv)化。其借助圈內當先的(de)導通電(dian)阻器和(he)啟閉(bi)耗損特征,在650伏氧化硅MOSFET好(hao)產(chan)品中獲得成功,為模式帶(dai)動(dong)了(le)前所已失的(de)質量和(he)輸出功率(lv)(lv)強度。

CREE.png

特(te)征

在常溫(wen)先決條件下表流露出太低的(de)導通熱敏電阻,能(neng)夠削減(jian)能(neng)力(li)不足。

低鉆入電容器設計(ji)的概念,下降(jiang)無需要(yao)的走勢干(gan)憂和勢能(neng)虧損(sun)。

選用(yong)擁(yong)有較低(di)反(fan)相灰(hui)復時間(jian)的(de)快速的(de)場(chang)效應管,進1步改善(shan)觸點開關(guan)特點。

幫助持(chi)續高溫操作步驟(Tj=175°C),擴寬了廣泛應用情況和穩(wen)定性。

的優勢

采用(yong)更為(wei)明(ming)顯削(xue)減打開(kai)和電荷轉移損失,上(shang)升(sheng)了布局程序(xu)利用(yong)率。

構(gou)建了(le)中頻次的(de)打開操作的(de),加強了(le)設備的(de)運行速(su)率和靈活(huo)多變性。

提(ti)升了(le)系(xi)統級的(de)最大功率孔隙(xi)率,能(neng)讓在非常有限的(de)個人(ren)空間內并(bing)能(neng)研究部(bu)署更(geng)強硬的(de)系(xi)統。

減太小控制系統的寬度(du)、總(zong)重量和(he)降溫需求分析,消減了(le)建筑體利潤和(he)保(bao)障繁多度(du)。

操作方面

高耐磨性(xing)輕工業企業電(dian)源線,為(wei)輕工業企業產出帶來了(le)增強、科學(xue)規范的(de)輸(shu)配電(dian)認可。

提供(gong)數據(ju)庫(ku)服務器(qi)/鐵通電源線,確保安全信(xin)息中央和通訊技術(shu)網(wang)絡數據(ju)的穩(wen)固(gu)運營。

直(zhi)流(liu)直(zhi)流(liu)電(dian)動(dong)四輪車(che)行業進(jin)行手機(ji)充(chong)電(dian)模(mo)式,促進(jin)直(zhi)流(liu)直(zhi)流(liu)電(dian)動(dong)四輪車(che)行業的(de)快速普及和(he)進(jin)行手機(ji)充(chong)電(dian)利用率的(de)優化。

全釩液流(liu)電池體統(tong)(ESS),優化方案能源(yuan)系統(tong)資(zi)源(yuan)隨意調(diao)節(jie)和平(ping)均分配,挺高能源(yuan)系統(tong)資(zi)源(yuan)使用熱效率。

不間(jian)歇電源線(UPS),為最為關鍵的(de)設(she)施(shi)設(she)備提高穩定可靠的(de)電能有效(xiao)保障。

手機(ji)電池處理整體(BMS),精準度攝像頭監控(kong)和工作動力(li)鋰電池感覺,延時(shi)動力(li)鋰電池運用(yong)蓄電量。

珠海市立維創展信息技術不多企業CREE的經售商,有了CREE紅外光電子器件其優勢供應商橋梁,可以保障原廠真品。,如果必須 購CREE成品,請(qing)連接人們!!!


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Tjmax

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CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C


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