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?3代650 V裸片SiC MOSFET

發布公告期限:2025-01-03 16:57:39     查詢:630

行行業超完善導通內阻和觸點開關耗損率,就能夠建立最優效果和工作功率密度計算公式規格。

Wolfspeed給(gei)出3、代650 V SiC MOSFET加(jia)入了(le)其(qi)氫氟酸處理硅(SiC)技術(shu)應用上的核(he)心狀態。在更(geng)新一(yi)輪的供電(dian)局(ju)(ju)設備軟件系統(tong)中符(fu)合身型更(geng)小、毛重更(geng)輕、最(zui)高效的供電(dian)局(ju)(ju)設備轉換。650 V SiC MOSFET是(shi)能(neng)好工(gong)業(ye)化電(dian)原(yuan)、安全物理服務器/5G網絡(luo)上外接(jie)電(dian)源(yuan)(yuan)、新電(dian)力能(neng)源(yuan)(yuan)直流(liu)電(dian)瓶車高鐵(EV)能(neng)充電(dian)裝置、儲能(neng)技術(shu)機器、作為應急的外接(jie)電(dian)源(yuan)(yuan)(UPS)和電(dian)板(ban)控(kong)制系統(tong)化等實用功(gong)能(neng)的最(zui)優(you)使用。

基本特征

溫度過(guo)低(di)生態(tai)環境的(de)低(di)導通(tong)電(dian)阻(zu)功率

低寄生菌電感

具備較低單向回到的有效電感(gan)

堅持耐高(gao)溫把控(Tj=175°C)

MOSFET.png

特點

經(jing)由設定開關按(an)鈕和文(wen)件(jian)傳(chuan)輸損耗量挺高機(ji)工作效率

實現目(mu)標高面板(ban)開關頻帶寬(kuan)度操作

加快(kuai)設備級輸出功率硬度基本(ben)參數

較低裝備規模;含水量;和(he)保壓需求

明顯利用

制造業交流電源

工作(zuo)器/中國(guo)電信微(wei)信網絡(luo)

能源系統(tong)電(dian)動車充(chong)電(dian)站部(bu)件

儲能技術(shu)機 (ESS)

緊急(ji)主機電源(UPS)

電池充電治理整體(ti)(BMS)

CREE科銳于(yu)2017年(nian)剝離出徽波微波射(she)頻名牌Wolfspeed,以寬帶網絡、大工率放縮器(qi)貨品為(wei)優點。

西安市立(li)維創(chuang)展信(xin)息技術是CREE的經(jing)售商,持(chi)有(you)CREE紅外光(guang)功率器件資源優(you)勢供應分銷渠道,信(xin)用(yong)管理 保障(zhang)原裝機官方正品(pin)。

*部(bu)門參(can)數(shu)需申請辦(ban)理(li)美利堅出來(lai)許(xu)可證。寶貝詳(xiang)情清楚更(geng)好地(di)材(cai)質,熱(re)烈歡迎聯系(xi)立維創(chuang)展(zhan)!


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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