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900 V分立無定形碳硅MOSFET CREE

公布時光:2024-12-17 11:21:28     觀看(kan):672

CREE初(chu)始(shi)化(hua)了其在無定形碳硅(SiC)技(ji)術(shu)工藝中的(de)為(wei)核心社會地位,低(di)電(dian)(dian)感分立(li)封裝配備寬沿面和(he)漏極(ji)與(yu)源(yuan)極(ji)互相的(de)隙縫長距離(~8mm)。900 V分立(li)炭化(hua)硅MOSFET智能(neng)化(hua)結(jie)合公(gong)布的(de)MOSFET處理芯(xin)片高(gao)頻(pin)性(xing)能(neng)指(zhi)標,因此展示 軟件應用于高(gao)危害(hai)壞(huai)境的(de)超預算(suan)電(dian)(dian)力工程要進行隔離。獨(du)特的(de)開(kai)爾文源(yuan)管腳(jiao)削減了工作電(dian)(dian)壓電(dian)(dian)感;因此開(kai)關(guan)按(an)鈕損耗費削減了30%。制作師不錯依托(tuo)于從硅基電(dian)(dian)子助力硅基來調低(di)電(dian)(dian)子器件的(de)數量;順(shun)利(li)借(jie)助新增電(dian)(dian)開(kai)關(guan)性(xing)能(neng)指(zhi)標,不錯順(shun)利(li)借(jie)助三電(dian)(dian)平拓(tuo)補(bu)改變成挺高(gao)效的(de)兩電(dian)(dian)平拓(tuo)補(bu)。

優點

在建筑(zhu)體本職工(gong)作(zuo)平(ping)均(jun)溫度(du)使(shi)用范圍內,至少(shao)電流值是900V Vbr

帶驅動器(qi)源的低特性阻抗封口

高恰恰能阻隔端電壓,低RDS(享受(shou))

低交叉還原(Qrr)的(de)(de)效率本征電(dian)子元器件大家庭(ting)中的(de)(de)一員-二極管

有效于(yu)串連,運用(yong)簡單

MOSFET.png

主要優勢

按照(zhao)縮減按鈕(niu)開關和傳導損耗量升級系統轉(zhuan)化(hua)率

進(jin)行高面板開關(guan)概率控制車

增進模式級電(dian)功率硬度

降底設備企業規模(mo);總重(zhong)量;和冷卻塔的需求

開(kai)機新(xin)的硬按(an)鈕拓(tuo)撲(pu)結構(gou)(Totem Pole PFC)

具代表性應用領域

無刷電機調節程序

新發熱能源(yuan)快速(su)充電站軟(ruan)件(jian)系(xi)統

作為應急(ji)的電源適配器(UPS)

電池測評設備

新生物(wu)質能(neng)自高鐵(tie)動(dong)車(che)急速手機(ji)充電模式

車載電子充值器

齒輪變速箱安裝

焊工藝設計

成都市立維(wei)創展網絡比(bi)較(jiao)有限工司(si)認(ren)證代理商(shang)CREE紅外光(guang)集成電(dian)路芯片,若(ruo)是(shi)必須購CREE商(shang)品(pin),請(qing)點選左下售后電(dian)話聯系你們!!!

 
Product SKUBlocking VoltageRDS(ON) at 25°CCurrent RatingTjmaxPackage
C3M0065090D900 V65 mΩ36 A150 °CTO-247-3
C3M0120090D900 V120 mΩ23 A150 °CTO-247-3
C3M0280090D900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-247-3
C3M0030090K900 V30 mΩ63 A150 °CTO-247-4
C3M0065090J900 V65 mΩ35 A150 °CTO-263-7
C3M0120090J900 V120 mΩ22 A150 °CTO-263-7
C3M0280090J900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-263-7


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