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GTRB246608FC-V1是CREE的的一款500瓦（P4dB）的SiC上(shang)GaN高電子變遷(qian)率晶(jing)胞管（HEMT），專(zhuan)業專(zhuan)注于(yu)多規范標準(zhun)蜂窩狀(zhuang)熱(re)效(xiao)率放小(xiao)器采用(yong)消費需求(qiu)設置。GTRB246608FC-V1有高效(xiao)化率和無軸環的熱(re)提升封裝類型。

軟件規格參數

詳述：高(gao)效率RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

高達頻點(dian)（MHz）：2400

增加收益（dB）：15.7

封口行業類型：Earless

功能

先進典型脈沖發生器CW能力，2400 MHz，48 V，10μs脈沖信號頻帶寬度，10%占空比，女子組合傷害

P4dB=600 W時的傳輸工作功(gong)率

P4dB=60%時的(de)吸收率

長沙(sha)市立維創(chuang)展科學技術比較有限(xian)新公司授權證書(shu)生產(chan)商CREE徽(hui)波器材，假如是需要購CREE商品(pin)，請點擊事(shi)件右面qq客(ke)服連(lian)續我！！！