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CGHV60170D是氮化鎵（GaN）高網上移動率晶狀體管（HEMT）。與硅或砷化鎵不同于較，GaN掌握優異的的特點；含蓋較高的熱擊穿場強；飽合智能電子偏移量車速較高；基本較高的制熱性。與Si和GaAs晶狀體管相較于較，CGHV60170D出具較高的最大功率硬度和更寬的頻段高寬比。

品牌規格型號

闡明：170瓦；6.0 GHz；50VGaN HEMT集成電路芯片(pian)

最底(di)頻繁 （MHz）：0

很(hen)高平率（MHz）：6000

增益值(zhi)值(zhi)（dB）：17

封裝(zhuang)形式品目(mu)：Die

特殊性

65%具代表(biao)性公率浮動速度

170 W非常(chang)典(dian)型(xing)PSAT

50V操縱

高熱擊穿場強

規(gui)律的范圍高至6 GHz

蘇州市立維(wei)創展現(xian)代科技授(shou)權書進口代理(li)MACOM類產品生產線，基(ji)本批發商MACOM的可(ke)變(bian)(bian)(bian)(bian)氣門正時(shi)增(zeng)益(yi)值(zhi)變(bian)(bian)(bian)(bian)大(da)(da)器(qi)(qi)，電率變(bian)(bian)(bian)(bian)大(da)(da)器(qi)(qi)，低躁(zao)聲(sheng)變(bian)(bian)(bian)(bian)大(da)(da)器(qi)(qi)，曲線變(bian)(bian)(bian)(bian)大(da)(da)器(qi)(qi)，混(hun)變(bian)(bian)(bian)(bian)大(da)(da)器(qi)(qi)，FTTx變(bian)(bian)(bian)(bian)小(xiao)器(qi)(qi)，勻稱式變(bian)(bian)(bian)(bian)小(xiao)器(qi)(qi)，變(bian)(bian)(bian)(bian)小(xiao)器(qi)(qi)增(zeng)益(yi)控(kong)制(zhi)電源(yuan)模塊(kuai)，有源(yuan)分(fen)離處理(li)器(qi)(qi)，功分(fen)器(qi)(qi)，倍頻(pin)器(qi)(qi)，融合(he)式混(hun)頻(pin)器(qi)(qi)，混(hun)頻(pin)器(qi)(qi)，上直(zhi)流變(bian)(bian)(bian)(bian)頻(pin)調速器(qi)(qi)，數(shu)子(zi)6衰(shuai)減(jian)器(qi)(qi)，數(shu)子(zi)6移(yi)相器(qi)(qi)，工作電壓(ya)撿驗器(qi)(qi)，壓(ya)控(kong)衰(shuai)減(jian)器(qi)(qi)等多種類半(ban)導體設備(bei)。如(ru)需進貨MACOM食(shi)品，請雙擊(ji)右方微信客服詢問！！！