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GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦(wa)（P3dB）的SiC上GaN高電子無(wu)線轉至率晶狀體管（HEMT），運用(yong)(yong)在多(duo)準則蜂窩(wo)狀公(gong)率變(bian)小器的技術運用(yong)(yong)。GTRB226002FC-V1具備(bei)高效性化(hua)和無(wu)軸環(huan)的熱加強封裝狀態(tai)。

的產品尺寸

結合：SiC HEMT上(shang)的高電率(lv)RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

低些頻次（MHz）：2110

較高頻繁（MHz）：2200

P3dB打出工率（W）：450

增加(jia)收益值（dB）：15

高效率（%）：60

特征英文

典型示范的脈沖激(ji)光CW機械性能：10μs脈沖發生器長度，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty夾(jia)具(ju)設計生產率=65%

增益值值=14dB

P3dB=450W時的輸(shu)出(chu)電壓輸(shu)出(chu)

女模對模型1B級（不同ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低熱擴散系數

無鉛并需(xu)求RoHS規則(ze)

GaN基SiC HEMT技術設備

東莞市立維創展(zhan)科學(xue)有效(xiao)集(ji)團公司品牌授(shou)權供應(ying)商CREE微波(bo)加熱功率器件(jian)，倘若必須(xu) 購CREE好產品，請(qing)打開(kai)網頁(ye)左(zuo)測人工服務電(dian)話聯系各(ge)位！！！