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?GTRB204402FC L中波段高工作電壓RF GaN

上線日期(qi):2024-11-06 17:13:24     挑選:651

GTRB204402FC/1是CREE的那款350瓦(P3dB)的SiC上GaN高電商移遷率尖晶石管(HEMT),致力于打造于多標準的蜂窩狀輸出功率變成器技巧廣泛應用各種需求設汁。GTRB204402FC享有有吸收率率和無軸環的熱增進封裝形式。

GTRB204402FC.png

食品的規格

詮釋:SiC HEMT上的(de)高電機功率RF GaN 350 W,48 V,1930-2020 MHz

平均頻段(MHz):1930

高頻(pin)點(MHz):2020

P3dB輸出精(jing)度耗油(you)率(W):350

增(zeng)益值(zhi)值(zhi)(dB):16.3

有生產率率(%):58

額定端電(dian)壓(V):48

封口行業類別:Earless

打包(bao)打包(bao)封裝:打包(bao)打包(bao)封裝分(fen)立結晶管

技能(neng):SiC上的GaN

結構特征

典(dian)型性的脈(mo)沖造(zao)成的CW機械性能,2020 MHz,48 V,10μs單(dan)脈(mo)沖長寬比,10%pwm占(zhan)空比,組(zu)裝傳輸

P3dB=350W時的(de)效(xiao)果電率

P3dB時的提高吸收(shou)率率=65%

超模3d模型1C級(要根據(ju)ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)

無(wu)鉛并充分滿足RoHS標

長(chang)沙市立維(wei)創(chuang)展(zhan)網絡非(fei)常(chang)有限子公司授權(quan)使用經銷(xiao)商CREE紅外光(guang)功率器件(jian),若是必須要 購CREE貨品(pin),請打開網頁右面克服(fu)聯系起來(lai)我們都(dou)!!!

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