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?PXAE263708NB-V1 S光波大電功率微波射頻LDMOS場現象納米線管

公布(bu)日(ri)期(qi):2024-11-04 16:57:13     訪(fang)問 :668

PXAE263708NB-V1是CREE的幾款400瓦(P3dB)LDMOS FET,應用軟件于2620至2690 MHz頻段的多標準單位蜂窩狀工作效率調大器工藝應用軟件。其中包含讀取所在自適應;高增益控制及其極具無突緣的熱促進裝封形態。PXAE263708NB-V1選取特殊的LDMOS工序技術性;PXAE263708NB-V1還具有積極的熱健康穩判定和優秀的健康性能指標。

PXAE263708NB-V1.png

物料尺寸規格

談(tan)談(tan):高最大功率RFLDMOS FET400W(P3dB);28v;2620-2690MHz

更低頻繁(MHz):2620

是最高的(de)聲音頻率(MHz):2690

P3dB傷害效(xiao)率(W):400

增加(jia)收益(dB):13.5

高效率(%):47

額定直流電壓(V):28

打包封裝類:塑料管

芯片打包(bao)封裝:芯片打包(bao)封裝形勢分立結晶管(guan)

系統:LDMOS

特殊性

寬帶網絡(luo)內部結構(gou)復制粘貼轉(zhuan)換支(zhi)持

非對(dui)應點性(xing)Doherty設計構思:主P1dB=140W典例值(zhi);最高的人值(zhi)P1dB=260 W典型示(shi)范值(zhi)

舉例的單脈沖CW屬性(xing);2655MHz;28v;多(duo)爾蒂構型;AB類(lei):P1dB=200W時的輸(shu)出的輸(shu)出;P3dB=400W時的傳輸(shu)電(dian)率(lv);轉化率(lv)=49%(POUT=57 W平均(jun));增益控制(zhi)=15 dB(POUT=57 W平均(jun))

會加工處(chu)理32 V時10:1的VSWR;100 W(CW)輸送熱效率

集成系統化(hua)ESD保(bao)護的

無鉛并提供RoHS細則(ze)

武(wu)漢市立維創展科枝較少大公司授權使用經(jing)銷處CREE徽波電子元器(qi)件,假(jia)如想(xiang)要(yao)購CREE設備,請鼠標點擊右邊克服找話(hua)題(ti)我(wo)門!!!

比較適合資訊、短視頻軟件
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