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CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D的模式變大器，適于于多標準規范蜂窩狀最大功率變大器技術性適用。GTVA261802FC-V1必備設置兼容性測試、高生產率的率和無軸環熱增加二極管封裝的基本特征。

產品產品規格

分析：SiC HEMT上(shang)的(de)高工作(zuo)電壓RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

最小頻點（MHz）：2620

最高的(de)頻帶寬度(du)（MHz）：2690

P3dB輸入耗油率（W）：170

收獲(huo)值（dB）：16.8

高(gao)效益率（%）：43

額定直(zhi)流電壓（V）：48

封(feng)裝類(lei)型類(lei)型：Earless

封(feng)裝：封(feng)裝分立納(na)米線管(guan)

技術性：SiC上的GaN

共同點

?GaN-on-SiC HEMT新技術

?鍵入兼容

?典型(xing)示范的(de)電脈沖CW使用性能，組合起(qi)來的(de)輸出，

2690 MHz，48 V，10μs激光(guang)脈沖長度(du)，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的輸(shu)入輸(shu)出工作功(gong)率

-P3dB時的漏相當高生產(chan)率=65.5%

-P3dB=15dB時(shi)的(de)增益值(zhi)值(zhi)

?也能完工48 V、180 W（CW）輸出(chu)電壓(ya)工作功率下(xia)10:1的VSWR

?女模(mo)建(jian)模(mo)方(fang)法1A級（跟據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低傳熱性比率

?無鉛并(bing)符合RoHS標(biao)淮

廣(guang)州(zhou)市立維創展新材料技術有效新公司商標授權生產(chan)商CREE微波加熱(re)電(dian)子元件，若是須得(de)購CREE品牌，請點一(yi)下(xia)左下(xia)客(ke)服中心找咱們！！！