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MATR-GSHC03-160150國防教育通信網絡手機無線電聯通寬帶結晶管存儲芯片

推出(chu)準確時間:2018-09-19 17:05:51     閱覽:1572

GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT是一個種寬帶網多晶體管集成電路芯片,針對于DC-3.5 GHz的上班開展了提高。該元器件幫助CW,智能和平滑的上班,導出工率為45 W(46.5 dBm)。MATR-GSHC03-160150相對適用性于中國軍事光纖通信,大陸手機端wifi電,飛防電子元器件機器設備,wifi框架裝置,ISMapp和VHF / UHF / L / S光波聲納。通過SIGANTIC®生產技藝生產加工 - 一個專有的GaN-on-Silicon技藝。

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MACOM MATR-GSHC03-160150 1周 120
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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54%的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊:16毫米
 100%DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸:0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分(fen)類:EAR99


應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率:2.5 GHz
增益:12 dB
電源電壓:28 V.
PSAT:45瓦

MACOM是全球排名僅僅一間軟件在微波射頻軟件的GaN on Si方法批發商商。我門大家大家在Si RF本職工作熱效率多硫化鋅管成品上能具備大范圍的間隔波(CW)GaN,成為分立電子技術性元件和控制器,設計制作本職工作在DC至6 GHz。我門大家大家的高本職工作熱效率CW和平滑多硫化鋅管是民用型航空航天電子技術性機械,微波通信,網上,長智能預警雷達相應化工業,科學學和醫療衛生軟件的良好選取。我門大家大家的成品組合構成合理利用了MACOM達到60年的民俗,哪怕用GaN on Si方法能具備規范標準和制作完成計劃書,以達到投資者最不近人情的具體需求。我門大家大家的GaN on Silicon成品,采取分立多硫化鋅管和ibms調大器,采取0.5納米HEMT工序,在本職工作熱效率,收獲,收獲平整度,熱效率多方面表達出優質的RF能,
推介方式
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