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CREE增加器GTRB266502FC是款630 W（P3dB）S中波段高效率RF GaN基SiC放縮器，致力于多基準蜂窩狀電原廣泛應用各種需求開發。GTRB266502FC具備高效性率和無環槽的熱怎強芯片封裝信息。

顯著特點

?GaN on SiC方法

?投入的輸出兼容性測試(shi)

?對不上稱制作：

主：P3dB=297 W

比(bi)較高值：P3dB=416W

?單脈沖(chong)CW穩定(ding)性(xing)招生指標：2690 MHz，48 V，10μs輸入脈沖(chong)參(can)數，10%pwm占空比，三(san)人組(zu)合輸入輸出

?模(mo)擬輸(shu)出額定功率(lv)@P3dB=630 W

?P3dB時(shi)的(de)使用率(lv)=67%

?低熱導率

?做到RoHS規則

用

?蜂窩狀電源模塊

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