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PTRA087008NB-V1高熱效率rf射頻LDMOS場負效應硫化鋅管CREE

頒布日期:2024-10-21 17:05:16     瀏(liu)覽(lan)記(ji)錄:546

PTRA087008NB-V1是一款650瓦的(de)高功(gong)率(lv)射頻LDMOS場效應(ying)晶體(ti)管。設計(ji)用(yong)于755 MHz至805 MHz的(de)多標準(zhun)蜂窩(wo)功(gong)率(lv)放大器(qi)應(ying)用(yong)。PTRA087008NB-V1采用(yong)先進的(de)LDMOS工藝制造;PTRA087008NB-V1具有優(you)異(yi)(yi)的(de)熱性(xing)能和優(you)異(yi)(yi)的(de)可靠性(xing)。

特性寬帶網絡內輸入輸出電壓符合非對稱軸結構設計:主P1dB=245W明顯值;閥值P1dB=380 W明顯值典型案例的輸入脈沖CW特性;805兆赫;48v;Doherty安裝:P3dB=650W時的的輸出工作功率;工作效率=52%;收獲=19.5 dB也能在48 V下工作10:1 VSWR;30 W(WCDMA)讀取工率模塊化ESD保證具備RoHS標準規范新產品規模說明書怎么寫:高工作功率RF LDMOS FET 650 W;48v;755-805兆赫最窄頻繁(MHz):500很大的頻率(MHz):1000P3dB工作輸出工作效率(W):380增加收益(dB):18.5能力(%):52業務直流電壓(V):48包裝機分類:朔膠的方式:二極管封裝分立結晶管高技術:LDMOS廣州市立維創展科技開發有效總部許可供應商CREE微波射頻元器件封裝,若是是需要購CREE物料,請雙擊右測人工服務連接企業!!!
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