?WGC22630熱怎強GaN變成器CREE
發布信(xin)息時(shi)間間隔:2024-10-17 17:08:29 訪問 :706
CREE的WGC22630是款630 W(P4dB)GaN-on-Silicon Carbide HEMT放大器,非常適合多標準化蜂窩功率放大器技術需求設計。WGC22630具備2110-2200 MHz的優化操作控制熱增強的包覆塑料封裝。

功能GaN基SiC HEMT方法單激光脈沖激光CW穩定性:2155 MHz,48 V,40μs激光脈沖激光大小,10%pwm占空比,組合搜索傳輸輸出耗油率@P4dB=630 WP4dB=68%時的學習效率滿意RoHS標準的化貨品外形尺寸價紹:熱明顯增強GaN變小器630 W,48 V,2110-2200 MHz上限頻繁 (MHz):2200主機電源直流電壓(V):48PSAT Watt(W):85收獲(dB):16.5芯片封裝:TO288-8L山東市立維創展自動化不足平臺軟件授權經銷處CREE微波加熱功率器件,假如需購CREE產品的,請選擇右面人工客服找話題小編!!!