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　　Skyworks 的 ATN3580-03 系列的固定位置衰減器處理存儲芯片采用了高功率功率電阻率硅處理存儲芯片上的塑料膜功率功率電阻器工藝，展示 準確度的衰減、高比較平整度和可以達到 40 GHz 的領航回波消耗的資金特性。　　目標形態：　　保護膜性能：在高電阻值公率率硅智能家居控制塊上智能家居控制保護膜電阻值公率器，帶來了更穩的公率清理性能。　　穩定動平衡 TEE 組成：利用穩定動平衡的 TEE 電阻器組成為了確保帶寬寬耐熱性。　　DC 衰減：所以衰減器基帶芯片都同一個了直流電壓(DC)衰減。　　聲音幾率空間：衰減器設計制作達到從 0.1 GHz 到 40 GHz 的聲音幾率空間內的性能參數標準要求。　　枝術金橋銅業跨接線的截面積大小：　　標稱衰減：展示 1–10、12、15、20、30 和 40 dB 的衰減選擇項。　　衰減容差：±0.25 dB。　　衰減出平整度：　　0.1-12 GHz：0.2 dB　　0.1-26.5 GHz：0.4 dB　　0.1-40 GHz：0.6 dB　　回波耗率：　　0.1-12 GHz：23 dB　　0.1-26.5 GHz：18 dB　　0.1-40 GHz：15 dB　　回波不足：不超 16 dB，直到 40 GHz。　　工作工作效率治理：高達獨角獸 1 W 的反復波(CW)工作工作效率治理工作能力。　　軟件優勢與劣勢：　　高的頻繁 率耐熱性：設計構思夠滿足達到了 40 GHz 的的頻繁 符合要求，選廣泛用于高的頻繁 使用。　　高回波不足：抓實訊號的高正品傳輸數據。　　高精度衰減：保證高精度的衰減值和容差，具備高精度把控好預警硬度的標準。　　質量好性：膠片硅心片節構牢固質量好，非常適合長期性不穩加載。

型號：

		Attenuator Fatness
NominalAttenuation (dB)	DCTolerance (dB)	0.1 to 12 GHz (dB)	0.1 to 26.5 GHz (dB)	0.1 to40 GHz (dB)	Outline Drawing	Part Number
1	±0.15	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-01
2	±0.15	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-02
3	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-03
4	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-04
5	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-05
6	±0.25	±02	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-06
7	±0.25	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-07
8	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-08
9	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-09
10	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-10
12	±0.50	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-12
15	±0.50	+02	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-15
20	±1.10	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-20
30	±1.60	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-30
40	±1.60	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-40