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　　QPD0030是Qorvo公司(si)生產的一款高(gao)性能GaN射頻功率晶(jing)體管，它采用(yong)了SiC HEMT(碳化硅高(gao)電(dian)子遷移率晶(jing)體管)技術。這款晶(jing)體管在48V電(dian)源軌上工作(zuo)，頻率范圍從直流(DC)至5GHz，輸出功率在P3dB點達到45W，非常適合(he)用(yong)于基站(zhan)、雷達和通信(xin)系統等(deng)應用(yong)。

　　QPD0030的最主要優缺點主要包括：　　- 率條件：DC至5GHz　　- 效果電耗油率(P3dB)：在2.2GHz幾率下，效果電耗油率可以達到49W。　　- 波形增加收益：在2.2GHz頻繁 下，基本特征增加收益為22.3dB。　　- 主要PAE3dB：在2.2GHz幾率下，利用率達到71.5%。　　- 本職工作端電壓：48V。　　- 低導熱系數封裝：在高輸出功率任務時很好的散熱，保護元器的動態平衡性和蓄電量。　　- 支持系統連繼波(CW)和智能辦公模式英文　　QPD0030都可軟件于Doherty搭建中，尤為可身為中型蜂窩、微蜂窩和有源無線控制系統的的移動通信基站設備功效變大器的最終級，也都可用做微蜂窩移動通信基站設備功效變大器的驅動下載器。該功率器件用到了制造業基準的4x3mm界面貼裝QFN封裝，有利于集成型到現存的頻射控制系統的設計制作中。

西安市立維創展現代科技得到可靠的供貨周期的渠道，長處展示Qorvo瓷器(qi)封(feng)裝IC和裸集成(cheng)塊商(shang)品，并豐富(fu)常(chang)備外盤庫存盤點，歡迎語資詢(xun)。