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　　CREE的(de)CMPA5585025F是一款基于(yu)氮化(hua)鎵(GaN)高(gao)電子遷移(yi)率晶(jing)體管(HEMT)的(de)單片微波集成電路(MMIC)。相(xiang)比(bi)硅或(huo)砷化(hua)鎵，GaN具有(you)更(geng)高(gao)的(de)性(xing)能，包(bao)括更(geng)高(gao)的(de)擊穿電壓、更(geng)高(gao)的(de)飽和電子漂移(yi)速度(du)和更(geng)高(gao)的(de)導熱性(xing)。與Si和GaAs晶(jing)體管相(xiang)比(bi)，GaN HEMT提供更(geng)高(gao)的(de)功率密度(du)和更(geng)寬(kuan)(kuan)的(de)帶寬(kuan)(kuan)。該MMIC采用10引(yin)線金屬/陶(tao)瓷(ci)法(fa)蘭(lan)封(feng)裝，具有(you)最佳的(de)電氣(qi)和熱性(xing)能。

　　特性：

Typical Performance Over 5.8-8.4 GHz(T?=25G）：

廈門市立維創展科技發展是CREE的加盟商商，具備CREE微波加熱電子元器件長處交貨推廣方式，并不斷存貨現貨黃金，以供我國的銷售市場要求。