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更(geng)新的時間:2024-05-21 08:45:14 瀏覽記錄:823
CGH40045FE射頻功率晶體管是CREE公(gong)司提供的(de)一款性能(neng)優越的(de)氮(dan)化(hua)鎵(GaN)高電(dian)子遷移率晶(jing)體(ti)管(guan)(HEMT)。它操作在28伏的(de)電(dian)壓軌道上,為各種(zhong)射頻和(he)微(wei)波應用(yong)(yong)提供通用(yong)(yong)寬帶解決方案。該晶(jing)體(ti)管(guan)具有(you)高效率、高增(zeng)益(yi)和(he)寬帶性能(neng),適(shi)用(yong)(yong)于(yu)線性和(he)壓縮放大器電(dian)路。

以下是CGH40045FE射頻功率晶體管的一些特征:
1.任務頻繁高至4 GHz 2.在2.0 GHz時有16 dB的小移動信號增益值,在4.0 GHz時為12 dB 3.PSAT(飽和點打印輸出耗油率)為55 W 4.業務電壓值28 V應用:
2路私自無限電:支持于私自通信技術機中的發送和傳輸傳感器。 網絡帶寬變大器:使用于須要高頻網絡帶寬變大器的應用領域,如聯通前提建筑設施等。 蜂窩基礎條件措施:用于于蜂窩無線網絡移動信號塔和生產設備的微波射頻傳送數據控制器。 測評器材:使代替多種多樣測評器材的微波射頻信號燈放小包塊。 A類,AB類,波形調大器:實采用各種類型調配模式(如OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA)下的波形和縮小調大器結構設計。產品選型:
| Order Number | Description | Init of Measure | Image |
| CGH40045F | GaN HEMT | Each | ![]() |
| CGH40045P | GaN HEMT | Each | ![]() |
| CGH40045F-AMP | Test board with GaN HEMT installed | Each | ![]() |
| CGH40045P-AMP | Test board with GaN HEMT installed | Each |
武漢市立維創展科學是CREE的代理商商,享用CREE徽波元器優劣勢交貨黑平臺,并長期性存儲期貨,以作中國大行業市場訴求。