欧美一区二区在线观看-亚洲精品午夜精品-亚洲激情在线-国产欧美精品

UMS微波通信CHK5010-99F是一款革命性(xing)(xing)的(de)4W氮化鎵(jia)高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可(ke)為(wei)各種射頻功率應用提供多功能寬帶解決方案(an)。該(gai)產品在SiC襯底(di)上(shang)采用GaNHEMT技術制造(zao)，確(que)保了優異的(de)性(xing)(xing)能和可(ke)靠性(xing)(xing)。

結晶管以裸晶片結構類型可以提供，要有 外部匹配好電線方能充分地表現其竟爭力。然后，也是這一方案作用塑造了CHK5010-99F豐富多彩的基本功能和具有廣泛性的應用軟件竟爭力。常見特征還有其精湛的帶寬效果，扶持萬代高達12 GHz的脈沖發生器和連續式波運作。依據GaN技術應用，該設計方案可體現高輸出電壓和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時體現較佳能力。不僅，該電源芯片有0.90x0.80x0.1mm的緊湊型盡寸，及時在受限制的位置中也也是可以解乏整合。出了其有遠見的安全性高性能，CHK5010-99F還不符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006規范，抓好節能和安全性高。這讓選用者在的選擇和選用好產品時無優，而不顧慮對條件的不利因素影響到。雖然，CHK5010-99F有的是款引起青睞的高使用的性能GaN單晶體管，有很廣的應用域軟件和很棒的功能鍵。其更讓人的印象難以忘懷的使用的性能和復合相關行業規范使其變成 頻射公率應用域軟件的靠譜選，為該域創造了新的應該性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

西安市立維創展新材料技術有限責任子公司授權經銷UMS微波，針對部分型號的UMS產品提供優質的現貨產品庫存，歡迎咨詢。