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CMPA1C1D080F 已元件芯片封裝；90W HPA徹底的整合資源功效領航；0.25um GaN on SiC 設計制作加工過程。對通信衛星通訊網的頻繁 規模在 12.75-13.25 GHz；CMPA1C1D080F 在 20W 總收入定效率下供應 -30dBc 的三階互形象能性能指標。實現了科學規范的銅管理設計；HPA 施用螺釘特定辦法實行；法蘭片盤配件封裝形式。

特征英文

90 W 普(pu)遍(bian) PSAT

>21% 常用工(gong)率額外增加工(gong)作效率

25 dB 小預警增益值值

-30dBc IM3 時總量定(ding)效率為 20W

功率相電(dian)壓高(gao)至 40 V

應用各個領域

定位通信上行帶寬鏈

企業產品規格

敘述(shu)：90瓦；12.75 - 13.25 GHz；GaN MMIC；工作電壓變成器

低(di)頻繁(fan) (MHz)：12750

高速率(MHz)：13250

最多值(zhi)額(e)定(ding)負載馬力(li)(W)：90

增加收益值(zhi)(dB)：25.0

使用(yong)率（％）：30

穩定(ding)電壓降(V)：40

方式：封裝類型MMIC

芯片封(feng)裝(zhuang)種類：法蘭片盤

高技(ji)術app：GaN-on-SiC