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CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材(cai)上的氮(dan)化鎵(GaN)高電子遷移率(lv)晶體管(guan)(HEMT)。與其它(ta)同類產品相比，這些GaN內(nei)部搭配(pei)CGHV96050F1具有(you)卓(zhuo)越的功(gong)率(lv)附帶(dai)效率(lv)。與硅或砷(shen)化鎵相比較，GaN具有(you)更加(jia)優異(yi)的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和(he)(he)電子漂移效率(lv)和(he)(he)更高的導熱系數(shu)。與GaAs晶體管(guan)相比較，GaN HEMT還推(tui)出更(geng)高的(de)功率密度和更(geng)寬的(de)帶寬。CGHV96050F1使用金屬(shu)/陶(tao)瓷法(fa)蘭盤封裝(zhuang)形式，能夠實(shi)現最好電(dian)力設備和熱(re)穩(wen)定性。

特性

7.9–8.4GHz事情

80WPOUT（經典值）

>13dB耗油率增益值值

33%典例波形PAE

50Ω內外配上(shang)

<0.1dB電率(lv)消(xiao)減

使用業務領域

北斗衛星通訊網

地面的光纖寬帶

貨品的規格

詳(xiang)情：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；投入/輸入輸出混搭GaNHEMT

較低(di)速度(MHz)：7900

很高速(su)度(du)(MHz)：8400

至高值轉換功效(W)：50

增益控制值(dB)：13.0

利(li)用率（％）：33

特殊端電壓(V)：40

模(mo)式(shi)(shi)：二極管(guan)封裝模(mo)式(shi)(shi)分(fen)立硫化鋅管(guan)

封口手(shou)段行業類(lei)型：法蘭部盤

方(fang)法app：GaN-on-SiC