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VTM48EF040T050B0R雙項交流電翻番器一種正弦函數漲幅轉成器（SAC?)從26到55VDC主電源線或2.2至4.6VDC氧化硅電力向負荷電力。VTM48EF040T050B0R雙重正弦交流電振動幅度轉成器，帶1個/12來隔絕和更換輸出功率。SAC帶來了的低洽談電位差不超了基本都數上下游調控器的帶寬起步。所以說，它采用穩壓轉變成；通暢，負荷處的電阻能否地屬余弦上升時間轉變成器的源處，以保證電阻器面積的變小。是由于VTM48EF040T050B0R的k標準值是1，/12，所以說在源極處在原邊的適用中，原邊的電容器值都可以影響144倍，而省去PCB電路板板面積、的材料和總控制系統成本價。

VTM48EF040T050B0R適用VI處理芯片封(feng)(feng)口，兼容標(biao)準規(gui)范取(qu)放和表貼(tie)拆裝工(gong)藝設計。是由于很高(gao)的(de)熱(re)(re)界面的(de)面積和優異的(de)傳熱(re)(re)性，共模VI集成電路芯片打包(bao)封(feng)(feng)裝提高(gao)了(le)怎強的(de)導熱(re)(re)管理。與傳統與現代方式相較，VTM48EF040T050B0R的(de)高(gao)換(huan)為成功率從而(er)提高(gao)了(le)一個控制系統的(de)成功率，減(jian)輕了(le)運營費用。

VTM48EF040T050B0R可以(yi)充分利用質因數分解成(cheng)24v電源網絡架構(gou)，能夠(gou) 縮減(jian)轉(zhuan)化成(cheng)和分銷(xiao)衰減(jian)同時加速負載電阻轉(zhuan)化成(cheng)的高相(xiang)對密(mi)度點(dian)來帶來學(xue)習效(xiao)率(lv)和盡(jin)寸其(qi)優勢。

穩定性和優勢與劣勢

?48VDC至4VDC50A橫(heng)向(xiang)電流大(da)小翻番器

?都可(ke)以(yi)為接觸上次側(ce)或四次側(ce)的阻抗供電設備(bei)

?優質率（>94%）能減小系統職能材(cai)料耗費(fei)

?高強度（170A/in3）

?“全集成(cheng)ic”VIChip?封口(kou)構建與程序(xu)板的表面上貼裝(zhuang)、低電位差互連

?也包括涉及(ji)下列關于概率的(de)預置維護試驗(yan)裝置：

n過壓(ya)自動隱藏

n過直流電保(bao)護性

n跳閘自我保護

n高(gao)溫護理

?供(gong)給重啟/關閉(bi)調節(jie)、內控溫(wen)差在線檢測

?ZVS/ZCS諧振正(zheng)弦函數(shu)波(bo)幅改變器拓(tuo)撲結構

?在典(dian)型示范應用軟件中，高(gao)速(su)行(xing)駛時(shi)的溫(wen)度身高(gao)高(gao)于50oC

VTM48EF040T050B0R電原模組推送重復使用空間緊湊型suv成品，要能供應大交流電高工率但伴隨VTM48EF040T050B0R停(ting)售，市(shi)面 智能會選擇刪除產品型號。

行業強烈推薦的(de)臺(tai)達(da)創始人(ren)Cyntec的(de)MPN541382-PV，Mblock工率功能的(de)的(de)產(chan)品，可(ke)保證 正(zheng)負(fu)極2的(de)連到(dao)行為，出示高(gao)至(zhi)1000w的(de)根據輸出功率，而(er)打包封(feng)裝占地僅有2.8*17.3*7.7mm。

Cnytec注(zhu)冊成立于1991年(nian)，以工藝改革創新(xin)作為(wei)主料、制作消售高表面粗(cu)糙度和(he)高規格(ge)引(yin)擎(qing)、調節器器和(he)寬泛(fan)應用(yong)(yong)方向技(ji)能規劃。商品首要涉(she)及到融(rong)合電(dian)感(gan)、電(dian)率引(yin)擎(qing)和(he)高表面粗(cu)糙度內阻(zu)。寬泛(fan)適用(yong)(yong)于中移動用(yong)(yong)戶、通(tong)(tong)訊網絡移動通(tong)(tong)信基站(zhan)、機械裝置(zhi)裝置(zhi)等(deng)。