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28-32 GHz（Ka頻段）GaN功率放大器MMIC

CMD217一(yi)款8.5 W RF /微波(bo)射頻(pin)GaN MMIC工作熱效率(lv)縮放器單片(pian)機芯片(pian)，極為(wei)(wei)適用性于(yu)(yu)Ka頻(pin)段通(tong)信網(wang)體系，這其中高工作熱效率(lv)和(he)高曲線度是必(bi)必(bi)需的的設計(ji)標準要求(qiu)。該配件給予高于(yu)(yu)20 dB的增(zeng)加收益，相對的效果1 dB降低點為(wei)(wei)+36.7 dBm，供大于(yu)(yu)求(qiu)效果速度為(wei)(wei)+39.3 dBm，速度額外速度為(wei)(wei)35％。CMD217縮放器主(zhu)要包(bao)括50歐姆(mu)自(zi)動配比設計(ji)，不能不外觀DC接口和(he)RF網(wang)絡端口自(zi)動配比。CMD217還帶(dai)來全部鈍化，以提升 牢靠(kao)性和(he)防腐性。

品牌	型號	貨期
Custom mmic	CMD217	3-4周

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特色

• 有效率出眾
• 高直線度
• 大電機功率
• 正收獲斜率
• 單片機芯片尺碼小

性能指標(biao)	經典
平率（GHz）	28 - 32
增益值（dB）	20
低頻噪音標準值（dB）
相位噪聲源（dBc / Hz）
導出P1dB（dBm）	36.7
效果Psat（dBm）	39.3
OIP3（dBm）	41
偏置電流值Vdd / Vgg（V）	+28 / -3.4
偏置功率（mA）	580

CUSTOM MMIC功率放大器用于射頻功率放大器設計的C，X，K，Ku和Ka波段GaAs和GaN MMIC

常見，尖部的RF /微波射頻加熱程序制定和子零件的面積深受禁止，然后須得比總數技術設備越來越高的非規則化網絡度范圍圖。全屋定制MMIC堅持創新驅動于給出數據需要滿足RF /微波射頻加熱程序最高所在所在最大工作電機功率和高非規則化網絡需求分析的GaAs和GaN所在所在最大工作電機功率放縮器（PA），互相給出數據還具有帶寬寬的中型裸片和界面貼裝（SMT）裝封。主要是因為都清楚極佳的電力工程的性能僅占一小半，Custom MMIC給出數據好多所在所在最大工作電機功率放縮器，主要采用50歐姆切換制定和單獨正偏置開關電源的電壓，可拉低繁雜的偏置字段，所以拉低制造費并增加環境。另外性能還例如：高所在所在所在最大工作電機功率，高非規則化網絡度和好的的效率。高所在所在最大工作電機功率強度GaN MMIC制定也是需用的。

頻率 （GHz）:DC - 32

增益 （dB）:11-30

噪聲 系數 （dB）:3-6.5