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CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高(gao)電子遷移(yi)率晶體(ti)(ti)管(HEMT);高(gao)增益和寬帶(dai)寬性能。從(cong)而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用(yong)。GTVA101K4晶體(ti)(ti)管適合于從(cong)UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用(yong)。
特征英文
投入配適
較為常見的(de)輸入(ru)脈沖連繼波使用性能;960–1215MHz;50V;單雙層;128μs脈沖造成的(de):寬度;10%pwm占空比(bi);P3dB=1400W時(shi)的(de)的(de)輸出(chu)速(su)(su)率(lv);事(shi)業速(su)(su)率(lv)=68%;增加收益值=17dB
無鉛并能夠滿足RoHS標
應該用的領域
聲納放縮器
CREE(科銳)注(zhu)冊成立于1987年(nian),CREE科銳有著30很多年(nian)的(de)(de)移動寬帶(dai)GAP原用料(liao)(liao)料(liao)(liao)和信息(xi)化(hua)軟件,CREE科銳是(shi)一個個詳細完整的(de)(de)來設計合作的(de)(de)摯友,遵(zun)循rf射頻的(de)(de)意愿,CREE科銳為(wei)行行業內技術性(xing)技術領先的(de)(de)系(xi)統專用設備展(zhan)示更(geng)強(qiang)的(de)(de)熱(re)效率和更(geng)低的(de)(de)特點(dian)損(sun)耗費。CREE科銳由最逐漸的(de)(de)GaN材料(liao)(liao)LED成品(pin)技術水(shui)平先進(jin)全當(dang)今世(shi)界,到徽波(bo)rf射頻與毫米(mm)波(bo)集成塊成品(pin),CREE科銳于2017年(nian)剝(bo)離(li) 出微波(bo)rf射頻rf射頻知名(ming)品(pin)牌(pai)Wolfspeed,以帶(dai)寬、大瓦數縮放器(qi)物品(pin)為(wei)獨具特色。
北京市立(li)維創展科枝是CREE的代理商(shang)(shang)商(shang)(shang),開發CREE徽波元器件封裝優勢與(yu)劣勢供貨的渠道(dao)的渠道(dao),并長年庫存商(shang)(shang)品現貨平臺,以供中華行業(ye)業(ye)務需求。
商品詳情了解到CREE微波通信射頻微波通信請雙擊://dev.www.zb5858.cn/brand/35.html

Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
LTN/GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |