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發(fa)布新聞時長(chang):2023-07-21 17:01:33 瀏覽記錄:861
Wolfspeed的CMPA2735075是款通過氮化鎵(GaN)HEMT的片式微波rf射頻rf射頻模塊化電路原理處理芯片(MMIC)。與硅或砷化鎵不同之處較,CMPA2735075符合最好越的產品的特性;涵蓋更多的電壓擊穿場強;更多的飽和電子無線漂移的效率與更多的傳熱性數值。與Si和GaAs尖晶石管好于較,CMPA2735075可帶來了更為重要的熱效率高密度和更寬的頻寬高度。CMPA2735075其中包含兩極電抗替換圖像放大電路板電路板開發技術工藝,要在更小的占存面積計算內做到無比寬的頻帶長度長度。CMPA2735075能作為模具機 機 和法蘭盤盤;卡緊式封裝類型。
特征英文
27dB小警報增益控(kong)制值
80W金典(dian)PSAT
28V動用
高損壞場強
保持室溫在使用
廣泛應用教育領域
民(min)用(yong)型(xing)型(xing)和(he)軍民(min)融合用(yong)脈寬聲納放小(xiao)器電源電路
CREE(科(ke)(ke)銳(rui))籌建(jian)于1987年,CREE科(ke)(ke)銳(rui)具備(bei)著(zhu)30多年以來的(de)(de)(de)(de)移動(dong)寬帶(dai)GAP原料料和不(bu)斷(duan)創新食品(pin),CREE科(ke)(ke)銳(rui)是個(ge)詳盡的(de)(de)(de)(de)規劃合伙小伙伴,適用頻(pin)射的(de)(de)(de)(de)供給(gei),CREE科(ke)(ke)銳(rui)為行(xing)同行(xing)業方法優(you)勢(shi)的(de)(de)(de)(de)機(ji)械機(ji)帶(dai)來了(le)更(geng)強(qiang)的(de)(de)(de)(de)熱(re)效率和更(geng)低(di)的(de)(de)(de)(de)技能耗(hao)損。CREE科(ke)(ke)銳(rui)由最已經(jing)的(de)(de)(de)(de)GaN板材(cai)LED企(qi)業產品(pin)的(de)(de)(de)(de)枝術遙(yao)遙(yao)領先全(quan)時代,到微波加熱(re)rf射頻(pin)與(yu)直徑(jing)波電子器(qi)件企(qi)業產品(pin)的(de)(de)(de)(de),CREE科(ke)(ke)銳(rui)于2017年隔離出微波加熱(re)rf射頻(pin)加盟品(pin)牌Wolfspeed,以聯通寬帶(dai)、大電機(ji)功(gong)率擴大器(qi)產品(pin)的(de)(de)(de)(de)為特色文(wen)化。
東莞市立維創展技術(shu)是CREE的銷售商(shang),擁用CREE紅外光功率器(qi)件優(you)越供(gong)貨周期流通渠(qu)道(dao),并(bing)經常存儲現(xian)貨黃金,以供(gong)我們市面(mian)需要(yao)。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CMPA2735075D | GaN on SiC | 2.7 GHz | 3.5 GHz | 75 W | 28 dB | 61% | 28 V | MMIC Bare Die | Die |
CMPA2735075F1-AMP | GaN on SiC | 2.7 GHz | 3.5 GHz | 75 W | 29 dB | 57% | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CMPA2735075F1 | GaN on SiC | 2.7 GHz | 3.5 GHz | 75 W | 29 dB | 57% | 28 V | Packaged MMIC | Flange |