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公布日期:2023-06-08 16:49:38 查(cha)詢(xun):1189
CREE雷達放大器GTVA126001EC和GTVA126001FC是600瓦GaN on SiC高(gao)電子(zi)遷移率(lv)晶體管(HEMT),適用于1200至1400MHz頻率(lv)段(duan)。GTVA12600具備輸入(ru)適配性能(neng);高(gao)效(xiao)化;和熱強化包(bao)。
表現形式
投入替換
常(chang)考的(de)單(dan)脈(mo)沖(chong)造(zao)成的(de)CW功(gong)效(AB類);1200MHz;50伏(fu);300μs輸(shu)入脈(mo)沖(chong)頻率;10%pwm占空比;輸(shu)出(chu)工率(P3dB)=600W;導流率=65%;增(zeng)加收益(yi)值(zhi)=18dB
需要在(zai)單脈沖造成的生態(tai)下,以600W輸出(chu)的工作效率(lv)承載力(li)10:1裝載失諧(因此(ci)相位差(cha)):300μs智能速率(lv);10%pwm占空(kong)比;VDD=50V;IDQ=100mA
女(nv)模(mo)模(mo)型工具1C類(通過AnSI/ESDA/JEDECJS-001)
無(wu)鉛(qian)并(bing)符合國家(jia)RoHS細(xi)則的規定
運用
汽車雷達調小器
CREE(科(ke)銳(rui)(rui))創(chuang)辦于1987年(nian)(nian)(nian),CREE科(ke)銳(rui)(rui)有30幾年(nian)(nian)(nian)的(de)聯(lian)通寬帶GAP原原料料和(he)創(chuang)新發展品(pin)(pin)牌,CREE科(ke)銳(rui)(rui)一(yi)(yi)個完美(mei)的(de)設計構思達成合(he)作火伴(ban),不符合(he)微波射(she)頻的(de)需(xu)求分析,CREE科(ke)銳(rui)(rui)為(wei)行(xing)行(xing)業(ye)技術(shu)應用一(yi)(yi)流的(de)機儀器儀器出具更(geng)強的(de)工率和(he)更(geng)低的(de)實用功能衰減。CREE科(ke)銳(rui)(rui)由最已經開始(shi)的(de)GaN材料的(de)特(te)性LED成品(pin)(pin)科(ke)技最前沿(yan)全全球,到(dao)微波通信(xin)(xin)微波射(she)頻與毫米(mi)(mm)波集(ji)成電路芯片成品(pin)(pin),CREE科(ke)銳(rui)(rui)于2017年(nian)(nian)(nian)離(li)心分離(li)出微波通信(xin)(xin)rf射(she)頻公(gong)司Wolfspeed,以聯(lian)通寬帶、大工作效(xiao)率變大器的(de)產品(pin)(pin)為(wei)的(de)特(te)色。
上海市立維創(chuang)展創(chuang)新(xin)科技是CREE的經(jing)售商,擁有著CREE微波通信電子器件優劣勢供貨(huo)流通渠(qu)道流通渠(qu)道,并(bing)經(jing)常(chang)性庫存量期貨(huo),以(yi)期中國國貿(mao)易市場要求(qiu)。
詳情頁熟知 CREErf射頻微波加熱請點://dev.www.zb5858.cn/brand/35.html

Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA126001FC-V1 | GaN on SiC | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 600 W | 20 dB | 63% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Earless |
GTVA126001EC-V1 | GaN on SiC | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 600 W | 20 dB | 63% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |