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?PTVA035002EV-V1 L股票波段圖像功率放大器CREE

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PTVA035002EV-V1 LDMOSFET設計制作做為390MHz至450MHz速度段的工率調大器適用。因素還包括高收獲和帶螺釘加強法蘭盤盤和熱加強型打包封裝。PTVA035002EV-V1常用Wolfspeed先進的LDMOS工藝技木技木;PTVA035002EV-V1供應優質的熱保持穩明確和優質系統的穩定可靠系數。

有特點

不配(pei)適的輸(shu)入輸(shu)送

高增加收(shou)益和成功率

集成系(xi)統化ESD呵護

中國女(nv)模(mo)建模(mo)2類(依據ANSI/ESDA/JEDECJS-001)

低導熱(re)性標準(zhun)值

無鉛(qian)并(bing)充(chong)分滿足(zu)RoHS規(gui)范(fan)標準要求(qiu)

也能在57dBm的脈寬(kuan)(kuan)情形下安裝13:1的過(guo)載失諧:12ms輸入脈沖寬(kuan)(kuan);10%pwm占空比

APP

390至450MHz頻帶寬度段的電機功率調大(da)器

CREE(科(ke)(ke)(ke)(ke)銳(rui))注(zhu)冊于1987年,CREE科(ke)(ke)(ke)(ke)銳(rui)應有(you)30常年的聯通寬帶GAP原板材(cai)料和科(ke)(ke)(ke)(ke)學創新(xin)車輛,CREE科(ke)(ke)(ke)(ke)銳(rui)都是個詳細完整的設計(ji)構思公(gong)司合作粉(fen)絲,符合標準(zhun)微波(bo)(bo)射(she)(she)頻(pin)(pin)的需求量,CREE科(ke)(ke)(ke)(ke)銳(rui)為行業(ye)內人士新(xin)技術更優(you)的刷(shua)卡機設施給予更強的瓦數和更低的功效自然損耗(hao)。CREE科(ke)(ke)(ke)(ke)銳(rui)由(you)最逐(zhu)漸的GaN基本(ben)材(cai)料LED類企(qi)業(ye)產品(pin)新(xin)技術前沿全部上,到(dao)微波(bo)(bo)頻(pin)(pin)射(she)(she)頻(pin)(pin)射(she)(she)與mm毫米波(bo)(bo)電(dian)子(zi)器(qi)件類企(qi)業(ye)產品(pin),CREE科(ke)(ke)(ke)(ke)銳(rui)于2017年分離出(chu)來出(chu)微波(bo)(bo)微波(bo)(bo)射(she)(she)頻(pin)(pin)微波(bo)(bo)射(she)(she)頻(pin)(pin)高(gao)端品(pin)牌Wolfspeed,以光(guang)纖寬帶、大馬(ma)力放縮器(qi)服(fu)務為獨(du)具(ju)特色(se)。

河南市立維創展科技欧美(mei)一(yi)区二区在线(xian)观看-亚洲(zhou)精(jing)品(pin)午夜精(jing)品(pin)-亚洲(zhou)激情在线(xian)-国产欧美(mei)精(jing)品(pin)是CREE的經銷(xiao)處商(shang),賦予CREE紅外光(guang)元(yuan)件特(te)色要貨黑(hei)平臺,并長久(jiu)庫存管理現貨黃金(jin),以防中國大市場實際需(xu)求。

詳細情況學習CREE頻射微波通信請點擊進入://dev.www.zb5858.cn/brand/35.html

PTVA035002EV-V1.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

PTVA035002EV-V1

LDMOS

0.39 GHz

0.45 GHz

450 W

18 dB

64%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down

 

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