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CREE的(de)PTVA104501EH LDMOS FET設計用作960至1215MHz頻率段的功率放大器技術應用。特征包括高增益和寬帶螺母穩定法蘭盤的熱增強型封裝形式。選用Wolfspeed最先進的LDMOS工藝技術；PTVA104501EH-V1提供優異的熱穩定性和優異的安全可靠性。

顯著特點

移動寬帶內(nei)部管理打出打出結合

高(gao)增(zeng)益控制與更高(gao)的效率

模塊(kuai)化(hua)化(hua)ESD保(bao)護(hu)

平面(mian)模(mo)特建(jian)模(mo)方法2類（選擇(ze)ANSI/ESDA/JEDECJS-001）

低傳熱公式公式

經久性價比高

無鉛(qian)并提供RoHS的標準(zhun)的規定

運用

960至1215MHz頻帶寬度段的功效放小器

CREE（科銳(rui)）揭牌(pai)于1987年(nian)(nian)，CREE科銳(rui)兼具30多年(nian)(nian)以來的聯(lian)通寬(kuan)帶(dai)(dai)GAP原料(liao)(liao)料(liao)(liao)和科學創新的產(chan)品(pin)，CREE科銳(rui)也是(shi)個完好(hao)的設計構(gou)思合作共贏(ying)朋友們，非常(chang)符合rf射頻(pin)的需(xu)求量(liang)，CREE科銳(rui)為(wei)行業界高技(ji)術技(ji)術領先(xian)的POS機系(xi)統(tong)帶(dai)(dai)來了更強的公率和更低的模塊(kuai)耗損率。CREE科銳(rui)由最已經(jing)的GaN基本材料(liao)(liao)LED產(chan)品(pin)能力頂尖全時(shi)代，到(dao)紅外光(guang)rf射頻(pin)與(yu)毫米左右波基帶(dai)(dai)芯片產(chan)品(pin)，CREE科銳(rui)于2017年(nian)(nian)離(li)心分離(li)出微波rf射頻(pin)rf射頻(pin)茶葉(xie)品(pin)牌(pai)Wolfspeed，以網絡帶(dai)(dai)寬(kuan)、大(da)輸出圖(tu)像電壓放大(da)器品(pin)牌(pai)為(wei)上海特(te)色。

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