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?CGHV40050 L頻譜瓦數變小器CREE

公布耗時:2023-02-10 16:47:52     搜索:774

Wolfspeed的CGHV40050是無可比擬的,氮化鎵高電子為了滿足電子時代發展的需求,轉化率結晶體管(HEMT)。CGHV40050的使用50伏導軌,作為通用性型移動寬帶完成計劃方案,包括適用性于rf射頻和微波射頻枝術廣泛應用。

GaN HEMTs擁有高效(xiao)性率,高收獲和(he)寬(kuan)(kuan)頻(pin)帶(dai)寬(kuan)(kuan)度(du)耐磨性,使CGHV40050被選方(fang)便線性網(wang)絡和(he)再壓縮變小控制電路的非(fei)常現實主義者選澤。CGHV40050單晶體管應用(yong)2電纜(lan)線法蘭片盤和(he)藥(yao)丸式芯片封裝(zhuang)。

特證

高至(zhi)4GHz的方法

77W基(ji)本特征(zheng)性(xing)輸(shu)入輸(shu)出輸(shu)出

1.8GHz時(shi)的(de)17.5dB小預警收(shou)獲值

0.8–2.0GHz的(de)廣泛應用(yong)電(dian)(dian)源(yuan)開關(guan)電(dian)(dian)源(yuan)電(dian)(dian)路

PSAT限期比率為53%

50伏運用

行業應用應用

窄帶超多概率

L和(he)S股(gu)票(piao)波段(duan)

高(gao)至(zhi)4GHz多倍頻程帶寬變小器

CREE(科銳)解散于(yu)1987年(nian),CREE科銳提(ti)供(gong)30這(zhe)些年(nian)的(de)(de)寬帶(dai)網絡GAP鋼筋取(qu)樣(yang)料和(he)研發產品(pin)設備,CREE科銳都(dou)是(shi)個詳細的(de)(de)結構設計的(de)(de)創業(ye)合伙人們,按照微(wei)波射(she)(she)頻(pin)(pin)的(de)(de)標準,CREE科銳為(wei)行業(ye)內(nei)人士方法技術(shu)(shu)領(ling)先的(de)(de)機的(de)(de)設備的(de)(de)設備能提(ti)供(gong)更強的(de)(de)瓦數和(he)更低的(de)(de)職能損耗(hao)費。CREE科銳由最開始的(de)(de)GaN基本的(de)(de)材質材料LED護膚(fu)品(pin)技術(shu)(shu)應用遙遙領(ling)先全宇宙,到(dao)紅外光rf射(she)(she)頻(pin)(pin)與公(gong)厘波集(ji)成ic護膚(fu)品(pin),CREE科銳于(yu)2017年(nian)剝離出微(wei)波通信微(wei)波射(she)(she)頻(pin)(pin)知名(ming)品(pin)牌(pai)(pai)Wolfspeed,以寬帶(dai)網、大額定功率放小器品(pin)牌(pai)(pai)為(wei)特性。

成都 市立(li)維創展社(she)會是CREE的經銷(xiao)處商,擁有著CREE微波射頻(pin)集成電(dian)路芯(xin)片(pian)資源優勢供(gong)貨(huo)合同推(tui)廣方式(shi),并繼續存貨(huo)現貨(huo)平臺,以作中華領域意愿(yuan)。

寶貝詳情認知CREErf射頻微波通信請點://dev.www.zb5858.cn/brand/35.html

CGHV40050.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV40050P

GaN on SiC

DC

4 GHz

50 W

16 dB

53%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CGHV40050F-AMP

GaN on SiC

0.8 GHz

2 GHz

50 W

16 dB

53%

50 V

Evaluation Board

Flange

CGHV40050F

GaN on SiC

DC

4 GHz

50 W

16 dB

53%

50 V

Packaged Discrete Transistor

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