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發布新(xin)聞時段:2023-02-02 16:55:21 網頁瀏覽:771
Wolfspeed的CG2H40045是前所未變的;氮化鎵(GaN)高網絡遷址率納米線管(HEMT)。CG2H40045從28伏電流值軌運用;應具實用型效果性;各種繁多的繁多rf射頻和微波通信應用方面的電信光纖寬帶網絡搞定計劃。GaNHEMT提供提高熱效率率;高增益控制和光仟聯通寬帶寬的性能使CG2H40045成為了波形和縮短工作功率變小三極管的抱負選用。CG2H40045用蝶閥法蘭和藥丸式二極管封裝方法。

共同點
高至4GHz的運行
2.0GHz時的(de)18dB小(xiao)4g信號增加收(shou)益值
4.0GHz時(shi)的14dB小的信號(hao)增加收益值
55W較為常見PSAT
PSAT轉(zhuan)化率為60%
28伏便用
使用
2路專(zhuan)屬型無線wifi微(wei)波通信
寬帶網調小器
蜂窩框架項目建(jian)設(she)規劃(hua)建(jian)設(she)規劃(hua)
測試方法設配
ClassA;AB;一般于OFDM的規(gui)則化調大器;wifi手機線上頻分多址;邊部;CDMA正弦(xian)波形
CREE(科(ke)(ke)(ke)銳)開(kai)辦于1987年,CREE科(ke)(ke)(ke)銳提供30常年的(de)(de)移(yi)動寬帶GAP原(yuan)料(liao)料(liao)和(he)創新性的(de)(de)產(chan)品(pin),CREE科(ke)(ke)(ke)銳也是個全版的(de)(de)設(she)計方(fang)案媒體合作(zuo)小伙伴,符(fu)合要(yao)求微(wei)波(bo)(bo)射頻(pin)的(de)(de)業(ye)務需求,CREE科(ke)(ke)(ke)銳為(wei)行(xing)同行(xing)業(ye)的(de)(de)技(ji)術優勢的(de)(de)機設(she)施設(she)備(bei)給出更(geng)強的(de)(de)效率(lv)和(he)更(geng)低(di)的(de)(de)基(ji)本功能自(zi)然(ran)損(sun)耗(hao)。CREE科(ke)(ke)(ke)銳由最(zui)已經(jing)的(de)(de)GaN基(ji)本的(de)(de)材(cai)質材(cai)料(liao)LED護膚(fu)品(pin)高(gao)技(ji)術遙(yao)遙(yao)領先全全球,到紅外光(guang)微(wei)波(bo)(bo)射頻(pin)與直徑波(bo)(bo)心片護膚(fu)品(pin),CREE科(ke)(ke)(ke)銳于2017年脫(tuo)離出微(wei)波(bo)(bo)加(jia)熱(re)頻(pin)射項目Wolfspeed,以網絡帶寬、大(da)瓦數擴大(da)器企業(ye)產(chan)品(pin)為(wei)廣州特色。
河(he)南市立維(wei)創展(zhan)科(ke)技(ji)創新是CREE的經售商,擁有的CREE紅外(wai)光電子元件(jian)優(you)點交貨途徑,并長(chang)時(shi)庫存(cun)量期貨,以(yi)備不(bu)時(shi)之(zhi)需(xu)我國的市場市場需(xu)求。
詳細信息認識CREErf射頻微波通信請單擊://dev.www.zb5858.cn/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CG2H40045P | GaN on SiC | DC | 4 GHz | 45 W | >14 dB | 55% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Pill |
CG2H40045F-AMP | GaN on SiC | 2.3 GHz | 2.7 GHz | 45 W | >14 dB | 55% | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CG2H40045F | GaN on SiC | DC | 4 GHz | 45 W | >14 dB | 55% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Flange |