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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

從而，其奮力的研究成果產生無源GaN混頻器設定在顯示三階交調截點（IIP3）與本機自由振蕩器（LO）驅動安裝安裝器的百分率角度多于擁有砷化鎵（GaAs）無源混頻器設定 - a品味因素私人定制MMIC已經追求曲線率。從S股票k線到K股票k線（2 GHz到19 GHz），這樣的環保型無源GaN混頻器展示板的IIP3大數字遠超過30 dBm，LO驅動安裝安裝電平約為20 dBm，曲線率超過10 dB。

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