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HMC637BPM5E是一(yi)(yi)個款砷(shen)化鎵(GaAs)、單整合(he)ic微(wei)波射頻(pin)整合(he)掌控(kong)電路(MMIC)、假晶高(gao)光電子變遷率尖晶石管(guan)(pHEMT)、級聯地域分布式(shi)應用(yong)(yong)(yong)功效放(fang)小(xiao)器，在(zai)一(yi)(yi)切正(zheng)常運(yun)轉任(ren)務(wu)時(shi)(shi)可(ke)建立(li)自偏置(zhi)且(qie)還具(ju)有IDQ能選偏置(zhi)掌控(kong)和(he)增加收益調控(kong)。該放(fang)小(xiao)器的(de)(de)運(yun)轉任(ren)務(wu)頻(pin)點范圍(wei)內(nei)為DC至6 GHz，提拱15 dB小(xiao)信號燈增加收益、27.5 dBm傳輸(shu)功效（1 dB增加收益收縮）、40 dBm關鍵(jian)傳輸(shu)IP3和(he)4 dB燥音均(jun)值，運(yun)用(yong)(yong)(yong)VDD 12 V電源(yuan)適(shi)(shi)配(pei)器線電壓時(shi)(shi)耗電為335 mA。HMC637BPM5E在(zai)DC至6 GHz范圍(wei)之內(nei)內(nei)的(de)(de)增益控(kong)制(zhi)(zhi)白皙度（典型示范值±0.5 dB時(shi)(shi)）十(shi)分的(de)(de)表(biao)現(xian)出色，而(er)使極其適(shi)(shi)軍事(shi)訓練、太空(kong)船(chuan)和(he)測驗生(sheng)(sheng)產(chan)設施(shi)適(shi)(shi)用(yong)(yong)(yong)。HMC637BPM5E還具(ju)備有內(nei)控(kong)配(pei)比至50 Ω的(de)(de)鍵(jian)入/打出(I/O)，采取不符(fu)合(he)RoHS標準的(de)(de)的(de)(de)5 mm × 5 mm LFCSP混凝土預制(zhi)(zhi)空(kong)腔芯片封(feng)裝，可(ke)與高(gao)使用(yong)(yong)(yong)量表(biao)貼技(ji)術工(gong)藝(SMT)裝配(pei)工(gong)生(sheng)(sheng)產(chan)設施(shi)兼(jian)容。

HMC637BPM5E結構圖

HMC637BPM5E應用

• 軍事與太空
• 測試儀器儀表

HMC637BPM5E優勢和特點

• P1dB輸出功率：27.5 dBm（典型值）
• 增益：15 dB（典型值）
• 輸出IP3：40 dBm（典型值）
• 在VDD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，VGG1（針對IDQ調整）和VGG2（針對增益控制）具有可選偏置控制
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝：25 mm2