市場知識
發布信(xin)息時間(jian)段(duan):2022-06-15 16:38:22 閱覽:1385
氮化鎵(GaN)耗油率光電器件高技術廣泛應用為資料rf射頻/紅外光耗油率變成器耐熱性進行了比較大供獻。合理利用減低元配件的附生配件,采用更短的柵極的尺寸和更強的電阻頻次,GaN納米線管需要滿足了高些的工作輸出高效率、更寬的上行速率和更加快的直流交流電源交流電源rf射頻高效率。
近年來以GaN布料材質為(wei)代(dai)表著的(de)最后代(dai)電子器件(jian)(jian)元器件(jian)(jian)封裝的(de)演變,GaN HEMT為了其寬頻率段隙而受人關注新聞,高制熱性、高熱擊穿場強和高頂值電子器材改變傳輸速率。特征提取GaN材質的寬帶功率放大器普遍使用于無線通信網絡、無線網絡、電子對抗、雷達系統等行業領域。
長沙市立(li)維創展科技開發(fa)是Teledyne防(fang)務(wu)電(dian)(dian)子(zi)的(de)供應(ying)商(shang)商(shang),能提供Teledyne防(fang)務(wu)網上的(de)產(chan)(chan)品包含LDMOS、GaN、GaAs和InP。Teledyne防(fang)務(wu)光電(dian)(dian)類產(chan)(chan)品結構的(de)支持寬(kuan)頻(pin)點段、窄帶、脈沖造成(cheng)的(de)調大(da)器,頻(pin)點1MHz~220GHz,最(zui)大(da)功(gong)率mW~10kW,的(de)優勢方式給出Teledyne防(fang)務(wu)手機進貨,祝(zhu)賀諮詢(xun)。
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Model | Frequency Range MHz | Gain dB Typ. | Noise Figure dB Typ. | P1dB dBm Typ. | P4dB dBm Typ. | P4dB Watts Typ. | IP3/IP2/Pout dBm Typ. | Preamp D.C. Volts Nom | Preamp D.C. mA Max. | D.C. Volt Nom | Amps Q/@P3dB Typ. |
GaN MEDIUM POWER BROADBAND AMPLIFIERS | |||||||||||
AVP598 | 50-700 | 16.5 | 2.5 | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/64/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.5 |
AVP514 | 50-700 | 40 | 3.7* | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/62/40 | 12 | 230 | 28 | 1.2/2.3 |
AVP2515 | 600-2600 | 17 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 48/50/37 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.50 |
AVP2524 | 600-2600 | 41 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 47/48/37 | 12 | 185 | 28 | 1.25/1.9 |
AVP2030 | 500-2400 | 16 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 53/65/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/2.6 |
AVP2034 | 500-2400 | 40 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 52/62/40 | 12 | 200 | 28 | 1.2/3.2 |
AVP2050 | 900-2000 | 14 | 4 | 42 | 48 | 63.1 | 55/68/43 | N/A | N/A | 28 | 1.6/5.50 |
GaN PREAMP DRIVER AMPLIFIERS | |||||||||||
A2CP2595 | 20-500 | 24 | 3 | 34 | 36.2 | 4.2 | 45/58/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 |
500-2500 | 24 | 3 | 32.5 | 34 | 2.5 | 40/56/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 | |
A2CP2596 | 20-500 | 24 | 4.8 | 36.5 | 37.5 | 5.6 | 8/52/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 |
500-2500 | 24 | 4.3 | 34.5 | 37.5 | 5.6 | 42/48/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 | |