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Qorvo采用我們最先進的超低噪聲0.15μm pHEMT和(he)0.25μm E-pHEMT工藝技術(shu)提供多種多樣的(de)分(fen)立(li)晶體管組(zu)件。QORVO分(fen)立(li)晶體管GAAS PHEMT接(jie)受用(yong)(yong)戶在設計(ji)低(di)噪(zao)聲(sheng)放大器(LNA)電源電路時完全控制(zhi)。各(ge)類(lei)分(fen)立FET提(ti)供低(di)至0.15dB的NF（最(zui)小(xiao)值(zhi)），最(zui)高可采用(yong)(yong)22GHz。還(huan)提(ti)供匹配(pei)晶體管，特(te)別適(shi)合平衡LNA設計(ji)。

大部分結構特征

超底嘈音(yin)比率——低(di)至(zhi)0.15dBNF（比較(jiao)小(xiao)值）

展示 裸片或封裝結構

應用的領域

通訊網絡信號塔

航空航天網絡通訊

直連(PtP)無線數字電

西(xi)安市立維創展科(ke)技開(kai)發是QORVO的經銷處(chu)商，基本能提供QORVO工(gong)作電壓增加器，   IC和裸單片機芯片，立維創展存(cun)在(zai)安穩的批發商銷售(shou)渠道，單價優質，并更多配備現(xian)貨交易(yi)銷量，歡迎圖(tu)片管理咨詢。

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