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AMCOM砷化鎵場作用單晶體管(GaAs FET)就是種專做廣泛用于中頻、超中頻和微波rf射頻rf射頻縮放集成運放的場負效應納米線管。AMCOM頻射結晶體管GaAs FET的頻率范圍跨越(yue)電磁輻射譜(pu)，從30 MHz到紅外波段。AMCOM頻射晶狀體管GaAs FET以(yi)其靈(ling)敏度(du)而聞名，而GaAs FET產生(sheng)的(de)內(nei)部噪聲很小。這主要(yao)是(shi)由于GaAs具有很強的(de)載流子(zi)遷移率。電(dian)子(zi)可(ke)以輕易、快(kuai)速地穿(chuan)過半(ban)導體材料。AMCOM微波射頻晶胞管GaAs FET就是種用盡集成電路芯片，這代表著著當調節電極材料是沒有端交流電壓時，它會導電，當柵極有端交流電壓時，溝道導電率會減小。

在(zai)弱(ruo)信號燈無線路由通(tong)信技術和播(bo)報考慮層面(mian)，AMCOMRF晶(jing)胞管GaAs FET的能(neng)相對比較基本上數其他性質(zhi)(zhi)的場邊際(ji)效應氯化鈉晶體(ti)管(guan)。這些(xie)性質(zhi)(zhi)的GaAs FET也代替微波(bo)射頻最大功率變大器。GaAs FET也用做宇宙中通信網、射電天文學和無(wu)限電嗜好者所做的實驗性。

AMCOM頻射(she)單晶體(ti)管GaAs FET擁有比(bi)較好的直線度。

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