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HMC219B就是款超大中型通用型雙穩定混頻器，按照8引腳超大中型塑膠片表貼裝封，帶漏出焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單電子電子元器件徽波集成系統電線(MMIC)混頻器按照砷化鎵(GaAs)金屬件半導體設備場定律晶胞管(MESFET)生產技術加工制造，不用冗余部件或配對電線。該電子元器件可作作速度依據為2.5 GHz至7.0 GHz的上調頻器、下調頻器、雙相調試器或相位比器。 立維創展HMC219B用經歷過優化方案的巴倫設備構造，出具表現出色的本振(LO)至rf射頻(RF)消毒及LO至中頻(IF)消毒能。適合RoHS的標準的HMC219B不需要線焊，與高儲存量表貼制作能力兼容。MMIC能固定可提升體統工作任務勞動效率并保證適合HiperLAN、U-NII和ISM法規標準符合要求。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE廣泛(fan)應(ying)用

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖